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ML51UB9AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51ub9ae/
ML51UB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51UB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 24 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI,并提供 SOP28 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 (DPTRs) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 16 K 字节 APROM, 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ,通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24MHz高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 °C, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 5 % 精度等级 - 38.4 kHz低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 °C, 3.
ML51UC0AE
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ML51UC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51UC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 24 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI,并提供 SOP28 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 32 K 字节 APROM, 用于使用者代码 - 可配置 4K / 3K / 2K / 1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 2 K 字节片上辅助 RAM (XRAM) ,通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式: 传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式:传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式:传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz
ML51XB9AE
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ML51XB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51XB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ),备有丰富的外设,如 17 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI,并提供 QFN20 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 (DPTRs) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 uA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 uA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 uA - 掉电模式典型功耗小于 1 uA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 16 K 字节 APROM, 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计(ISP)代码 - APROM中应用编程(IAP)内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) ,通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 (HIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级 - 38.4 kHz低速内部振荡器 (LIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) , 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级 - 外置 4 ~ 24 MHz (HXT)
ML56LD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-touch-key-ml56-series/ml56ld1ae/
ML56LD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,内建LCD驱动以及电容触控电路,正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V,工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML56LD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 42 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI,并提供 LQFP48 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • Touchkey - 内置9路高灵敏度电容触控电路 • LCD 驅動能力 - 4 x 22, 6 x 20 和 8 x 18 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM, 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ,通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式:外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式:传输长度必须字对齐 -
ML56MD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-touch-key-ml56-series/ml56md1ae/
ML56MD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,内建LCD驱动以及电容触控电路,正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V,工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML56MD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 38 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI,并提供 LQFP44 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • Touchkey - 内置 6 路高灵敏度电容触控电路 • LCD 驅動能力 - 4 x 21, 6 x 19 和 8 x 17 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM, 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ,通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式:外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式:传输长度必须字对齐 -
ML56SD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-touch-key-ml56-series/ml56sd1ae/
ML56SD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,内建LCD驱动以及电容触控电路,正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V,工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML56SD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 55 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI,并提供 LQFP64 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • Touchkey - 内置 14 路高灵敏度电容触控电路 • LCD 驅動能力 - 4 x 32, 6 x 30 和 8 x 28 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM, 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM, 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ,通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式:外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式:传输长度必须字对齐 -
NuMaker-IoT-M2354
https://www.nuvoton.com.cn/products/iot-solution/iot-platform/numaker-iot-m2354/
此开发平台整合了 NuMicro® M2354 的运算能力与完整的微控制器资安防护功能,并整合了 Wi-Fi 与 LoRa 通讯模块于板上,LoRa 模块并有分中国与美国的通讯不同频段可选择,同时开发板上配置的 Arduino 扩充接口可以支持任何以该接口跟主板连接的功能扩充板,例如新唐 NuMaker 系列的各式传感器扩充板,当搜集感测数据后可以透过板上通讯模块把数据传到后端的服务器。另外由于M2354 IoT Security 系列本身带有 LCD Controlle r与诸多微控制器安全功能,新唐公司也开发了功能演示软件并随开发板附赠。 开发板特色 • 整合 Wi-Fi, LoRa 通讯模块 (915 MHz/ 433 MHz; US/China area) • 多种扩充接口整合于单一平台,方便运用 - Arduino UNO compatible interface - mikroBUS compatible interface - USB 2.0 Full-Speed OTG / Host / Device - CAN and RS485 transceiver - On-board Nu-Link2-Me ICE Bridge (Mass storage as USB Disk drive) for drag and drop programming • 配合云端,提供多种 RTOS, 多种云平台连接的参考设计 - TrustZone® for Arm®v8-M - Mbed OS, FreeRTOS, RT-Thread; Pelion Cloud, AWS IoT Cloud • 提供免费范例程序与原代码 - 二进制文件下載位置: https://github.com/OpenNuvoton/M2354BSP/tree/master/SampleCode/NuMakerIoT/mbedOS6_AWS_IoT - 原代码下載位置: https://github.com/OpenNuvoton/NuMaker-mbed-OS-6-AWS-IoT 开发板系统说明图
常见问答 / NuMirco™ 家族芯片有几个定时器控制器?
https://www.nuvoton.com.cn/support/technical-support/faq/d4052dd7-04f1-11ea-b113-05daf7eedf03/
NuMirco™ 家族芯片有几个定时器控制器? 1423497600000 在一个NuMirco™ 家族的芯片中最多可达四组的定时器控制器,依不同的型号而定。因定时器与PWM定时器是独立选择其时钟源,使用者亦可另外利用Systick定时器以及 PWM(使能PWM定时器、禁能PWM的输出)来做为定时器的用途。
常见问答 / PWM产生器是否支持整个输出信号都是高电平或低电平?
https://www.nuvoton.com.cn/support/technical-support/faq/d5225e4c-04f1-11ea-b113-05daf7eedf03/
PWM duty PWM产生器是否支持整个输出信号都是高电平或低电平? 1432713960000 NuMicro™家族部分芯片的PWM产生器,不能设定整个PWM周期输出波形皆为低电平或皆为高电平,在一个完整的PWM周期内,至少有一个PWM计数时间长度输出为低电平或高电平。 NUC131、M0518以及M451系列都支持整个PWM周期输出信号皆为高电平或皆为低电平。
常见问答 / 在使用ADC时,VREF引腳应注意哪些事项?
https://www.nuvoton.com.cn/support/technical-support/faq/d5357028-04f1-11ea-b113-05daf7eedf03/
在使用ADC时,VREF引腳应注意哪些事项? 1429777080000 对于NuMicro™家族所有系列,VREF引脚必须外接一个电容,其电容值需要抑制电压纹波,应小于ADC的一个LSB大小,以避免电源噪声干扰ADC精确度。例如,12-bit ADC、VREF电压为3.3v,其纹波大小应在3.3/(2^12) = 0.8mV以下。