新唐科技 NuMicro® M2L31 系列是新一代 32 位元低功耗微控制器，基于 Arm Cortex-M23 核心，支持 Armv8-M 指令集架构，运行速度可达 72 MHz，具备 64 至 512 KB 的 ReRAM、内建双区块 (Dual Bank) 架构可支持 OTA (Over-The-Air) 固件升级，以及 40 至 168 KB 的 SRAM，提供 1.71V 至 3.6V 的工作电压、- 40 °C 至 105 °C 的工作温度，并具有 4 kV ESD HBM 和 4.4 kV EFT 的出色高抗干扰特性。

ReRAM (电阻式内存) 是一种非挥发性内存，被视为潜在的下一代嵌入式内存，并在物联网 (IoT) 设备、移动设备、嵌入式系统等领域中具有广泛的应用前景。透过施加外部偏压以改变组件的高低电阻状态，达到数字讯号储存的效果。它具有读写速度快、低耗能和优越的耐久性等三大特点，与嵌入式闪存不同，ReRAM 在进行写入操作时无需先进行擦除，因此写入速度更快，且类似于 EEPROM 的使用方式，简便又快速。此外，相较于闪存，ReRAM 的能耗更低，因为储存每一位所需的能量小于在闪存中所需的能量。另外，由于每个储存单元都可以独立进行置位或复位，因此耐久性也比闪存更高。

正常运行模式提供低至 60 μA/ MHz 的功耗，支持 3 个低功耗模式，包括正常电源关闭、待机电源关闭和深度电源关闭模式。在正常掉电模式下提供三种低频时钟源如 MIRC、LIRC 和 LXT，除了缩短高精度传感器的稳定工作时间也降低整体的运行耗电。此外，还具备新唐特有的低功耗域中的自动操作模式，便可通过设定低耗电时钟源，透过低功耗串行接口將采集到的数据搬运至低功耗 SRAM 区域，整套过程都不须 CPU 处理器介入以达最省电有效的自动化机制。

M2L31 系列提供最多三个可编程增益放大器与三个比较器，一个 24 通道高速 3.6 MSPS 的 12 位 SAR ADC，两个 12 位 1 MSPS 的 DAC，以及最多 24 通道 16 位 144 MHz PWM。

M2L31 提供符合 USB Type-C Rev. 2.1 和 USB Power Delivery Rev. 3.1 规格的控制器。支持 dead battery 与 fast role swap功能，支持灵活的电源与数据传输。

M2L31 系列提供了丰富的外设，带有独立 VBAT 引脚的 RTC、最多 16 通道的 PDMA、最多 16 个独立的电容触摸按键、最多 2 组 CAN FD 控制器、USB 2.0 FS OTG 具备主机和设备控制器、最多 8 组 UART、最多 4 组 I2C、最多 4 组 SPI/I2S、1 组 QSPI，以及 2 组通用串行控制接口 (USCI)。

支持的封装包括 WLCSP25 (2.5 mm x 2.5 mm)、QFN32 (5 mm x 5 mm)、LQFP48 (7 mm x 7 mm)、QFN 48 (5 mm x 5 mm)、WLCSP49 (3.0 mm x 3.0 mm)、LQFP64 (7 mm x 7 mm) 和 LQFP128 (14 mm x 14 mm)。

新唐 M2L31 NuMaker 评估板和 Nu-Link 除错器为产品评估与开发的利器。并且支持第三方厂商提供的 IDE，如 Keil MDK、IAR EWARM 和带 GNU GCC 编译程序的 NuEclipse IDE。

目标应用

• 马达控制
• 计算机周边
• 工业自动化
• 电池管理

关键特性: