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ML56SD1AE

ML56

ML56SD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，内建LCD驱动以及电容触控电路，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。

ML56SD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 55 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP64 封装。

目标应用:

穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。

关键特性:

• CPU
  - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器
  - 指令集全兼容 MCS-51
  - 4 级优先级中断配置
  - 双数据指针 ( DPTRs )
     
• 工作条件
  - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V
  - 宽工作频率最高至 24 MHz
  - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃
   
• 低功耗特性
  - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz
  - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA
  - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA
  - 掉电模式典型功耗小于 1 μA
  - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 )
     
• Touchkey
  - 内置 14 路高灵敏度电容触控电路
     
• LCD 驅動能力
  - 4 x 32, 6 x 30 和 8 x 28 COM / SEG LCD
     
• 内存
  - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码
  - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码
  - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加
  - Flash 内存 100,000 次擦写寿命
  - 代码安全加密
  - 256 字节片上 RAM
  - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问
     
• PDMA
  - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输
  - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐
  - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐
  - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐
  - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐
   
• 时钟源
  - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 4 % 精度等级
  - 38.4 kHz 低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级
  - 外置 4 ~ 24 MHz ( HXT ) 晶振输入为精密定时操作
  - 外置 32.768 kHz ( LXT ) 晶振输入
  - 运行中可通过软件对时钟源切
  - 可编程系统时钟分频器从 1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512
     
• 外设
  - 55 个通用输入输出引脚。所有输出引脚具有独立的 2 级电平转换速率控制
  - 8 通道 GPIO 中断，具备边缘/电平检测，全部 55 个 GPIO 均可配置为输入源之一
  - 标准中断引脚 INT0 和 INT1 兼容标准 8051
  - 两组 16 位定时/计数器 0 和 1 兼容标准 8051
  - 一组 16 位定时器 2 带 3 通道输入捕获模块
  - 一组 16 位自动重载定时器 3
  - 一组可程序设计看门狗定时器 ( WDT )
  - 一组专用的自唤醒定时器 ( WKT )
  - 一组专用的 RTC 可实现日历和闹钟
  - 两组全双工串口
  - 两组智能卡接口支持 ISO7816-3
  - 两组SPI端口支持主机和从机模式，当系统时钟为 24 MHz 时传输速率高达 6 Mbps
  - 两组 I²C 总线支持主机和从机模式，数据传输率高达 400 kpbs
  - 12 通道脉宽调制器（PWM）输出，高达 16 位分辨率
  - 2组比较器
  - 一组 12 位 12 路 ADC，当VDD 大于 2.5V 转换速率高达 500 Ksps
     
• 电源监视器：
  - 欠压检测 ( BOD ) 可用于低功耗模式，7 个级别可选，可配置中断或复位
  - 上电复位 ( POR )
  - 低电压复位 ( LVR )
     
• 强效ESD及EFT能力
  - ESD HBM 通过 8 kV
  - EFT > ± 4.4 kV
  - 闩锁测试通过 150 mA
     
• 开发工具
  - Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM 和 IAR 开发环境
  - Nuvoton 电路编程 ( Nu-Link )
  - Nuvoton 在系统编程 ( ISP ) 通过 UART
   

 

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