搜寻
ML51EC0AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51ec0ae/
ML51EC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51EC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 24 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 TSSOP28 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 (DPTRs) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 32 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 2 K字 节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式: 传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源
ML51FB9AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51fb9ae/
ML51FB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51FB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 16 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI，并提供 TSSOP20 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计(ISP)代码 - APROM中应用编程(IAP)内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) ，通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 5 % 精度等级 - 38.4 kHz 低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级 - 外置 4 ~ 24 MHz ( HXT )
ML51LD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51ld1ae/
ML51LD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51LD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 43 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP48 封装。 目标应用: 穿戴式装置、互联网端点设备、智能家居、手持电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1
ML51OB9AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51ob9ae/
ML51OB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA / MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51OB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 16 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI，并提供 SOP20 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级 - 38.4 kHz 低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.
ML51PB9AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51pb9ae/
ML51PB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA / MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51PB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 24 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP32 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 μs ( HIRC 运行 ) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式: 传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 •
ML51PC0AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51pc0ae/
ML51PC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51PC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 28 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP32 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 (DPTRs) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 32 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程(IAP)内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 2 K字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式: 传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz
ML51SD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51sd1ae/
ML51SD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51SD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 56 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP64 封装。 目标应用: 穿戴式装置、互联网端点设备、智能家居、手持电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ±
ML51TB9AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51tb9ae/
ML51TB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51TB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 28 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 QFN33 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式: 传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24
ML51TC0AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51tc0ae/
ML51TC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51TC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 28 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 QFN33 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 32 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 2 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式: 传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz
ML51TD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51td1ae/
ML51TD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51TD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 28 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 QFN33 封装。 目标应用: 穿戴式装置、互联网端点设备、智能家居、手持电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1
粤公网安备 44030502010001号