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ML56LD1AE
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ML56LD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，内建LCD驱动以及电容触控电路，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML56LD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 42 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP48 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • Touchkey - 内置9路高灵敏度电容触控电路 • LCD 驅動能力 - 4 x 22, 6 x 20 和 8 x 18 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 -
ML56LD1AE / 开发板
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/resource-files/NuMaker-ML56SD_V1.1.zip NuMaker-ML56SD Gerber & Schematic PCB File EV0120200914110804
ML56LD1AE / 用户手册
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/resource-files/UM_NuMaker-ML56SD_EN_Rev1.01.pdf UM_NuMaker-ML56SD_EN_Rev1.01 UG1320200916140245
ML54LD1AE / 产品简介
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/resource-files/PB_ML51_ML54_ML56_Series_EN_V2.00.pdf ML51/ML54/ML56 Series Product Brief DA03-ML51-54-56
ML54LD1AE / 规格数据
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/resource-files/DS_ML51_ML54_ML56_Series_EN_Rev2.02.pdf DS_ML51_ML54_ML56_Series_EN_Rev2.02 DA00-ML51
ML54LD1AE / 技术参考手册
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/resource-files/TRM_ML51_ML54_ML56_Series_SC_V2.00.pdf ML51/ ML54/ ML56 系列技术参考手册 DA05-ML51-SC
ML54LD1AE / 技术参考手册
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视频中心 / Nuvoton NuMicro ML51/ML54/ML56 系列
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视频中心 / ML56 系列 (1) – 电容式触控按键技术
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视频中心 / ML56 系列 (2) – 电容式触控按键电路板设计
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