0.6um CDMOS/UHV Process
0.6um CDMOS / UHV Process
0.6um 5V/40V Dual-Vgs CDMOS Process
此工艺为Dual GOX process,提供VGS= 5V与最大耐压为VGS= 40V的器件,VDS电压分别为5V/18V/25V/40V,并提供低通态电阻的功率器件以因应电压转换及LED的需求。配合高阻值Poly2,PIP电容及Bipolar,实现类比信号的设计。另外提供特殊元件以因应您的特殊需求,如:Depletion Device,Native Device与Zener Diode等。同时提供Nuvoton Poly e-fuse IP满足您在OTP的上的需求。此工艺支援3um thickness的Top Metal,以因应铜打线需求。为了方便您在数字电路上的设计,我们也提供了5V Standard Cell Library。
Device | Vth(V) | Idsat(uA / um) | Rds,on(mohm-mm2) | Bvdss(V) |
---|---|---|---|---|
5V / 18V LDNMOS | 0.85 | 330 | 18 | >25 |
5V / 25V LDNMOS | 0.77 | 380 | 25 | >30 |
5V / 40V LDNMOS | 0.77 | 340 | 55 | >48 |
0.6um 5V/40V/UHV Process
此工艺利用新唐独有的模块化工艺技术,承袭所有0.6um5V/40V Dual-Vgs CDMOS process当中所有的器件,以相同的器件特性并使用相同的SPICE Model,加入700V超高压器件,如:Depletion UHV,Low Ron UHV及UHV JFET等,让您在此平台的应用范围由一般的DC/ DC拓展至AC/ DC之电力系统。完全模块化与客制化的工艺,让此工艺的所有器件都成为一种选择,以方便应用。选择此工艺平台上您无需熟悉另一套工艺的Design Kits,即可让您所设计的产品应用至更广泛的领域。
0.6um 5V/20V CDMOS Process
对于低于20V以下应用的产品,我们提供另一个选择0.6um5V/20V CDMOS process,此工艺为Dual-GOX Process,提供VGS= 5V与最大耐压为VGS= 16V的器件,Vds电压分别为5V/12V/16V/20V,并提供低通态电阻的功率器件以因应Converter及LED的需求。配合高阻值Poly2,PIP电容及Bipolar,实现类比信号的设计。另外提供特殊器件以因应您的特殊需求,如: Depletion Device與Zener Diode等。同时提供Nuvoton Poly e-fuse IP满足您在OTP的上的需求。此工艺支援3um thickness的Top Metal,以因应铜打线需求。为了方便您在数字电路上的设计,我们也提供了5V Standard Cell Library。
Device | Vth(V) | Idsat(uA / um) | Rds,on(mohm-mm2) | Bvdss(V) |
---|---|---|---|---|
12V / 12V LDNMOS | 1.9 | 550 | 7.8 | >18 |
16V / 16V LDNMOS | 1.9 | 760 | 12 | >20 |
5V / 20V LDNMOS | 1.1 | 365 | 25 | >24 |