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培训课程 / 2023 NuMicro Training Courses- Level1 Basic M467
https://www.nuvoton.com.cn/support/learning/training-courses/TSNuvotonTrainingCourses-000032/
竹北 課程目標 本課程旨在讓學員更快速掌握在新唐 NuMicro® 32 位微控制器開發專案，利用新唐開發平台與開發資源，包括使用新唐科技 NuMicro® M463/M467 系列，並帶 Nu-Link 除錯燒錄器的開發板、使用開發環境介面 (KEIL, IAR, NuEclipse)，以及新唐科技豐富的軟體工具。課程內容還包括 GPIO、TIMER、PWM、ADC、UART、SPI 等應用實作，讓您體驗便捷的開發流程。 課程特色 課程全程免費，小班授課，以實作讓您快速上手 全程得到新唐技術專家的親自指導，讓學員充分體驗新唐 32 位Cortex-M 微控制器實作 本課程旨在讓學員更快速掌握在新唐 NuMicro® 32 位微控制器開發專案。 2023 NuMicro Training Courses- Level1 Basic M467 Nuvoton.Language.zhtw
Apply for Keil MDK Nuvoton Edition – Full Cortex-M
https://www.nuvoton.com.cn/tool-and-software/ide-and-compiler/keil-mdk-nuvoton-edition/application-form/
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NuMicro M33 Board Support Package
https://www.nuvoton.com.cn/tool-and-software/board-support-package/numicro-m33-board-support-package/
BSP List Content Version Date M3331 Series BSP github gitlab gitee M3331 series software package based on CMSIS version 5.9. It supports IAR, Keil, VS Code development environment with drivers and samples codes. For detailed, please download it and unzip it. V3.00.001 2025-08-27
NK-NM1240L
https://www.nuvoton.com.cn/board/nk-nm1240l/
The NK-NM1240L is an evaluation board (EVB) featuring an ARM Cortex-M0 MCU (NM1244) and an external 200V N/N-based gate driver (IR2101), along with external MOSFETs and variable resistors for controlling motor drive waveform and current phase. It supports the operation of three-phase brushless DC motors (BLDCMs) and permanent magnet synchronous motors (PMSMs), delivering a continuous drain current (IDSM) of 15A in 12V–48V DC rail or battery-powered applications. The NK-NM1240L is designed for project evaluation, prototype development, and validation, allowing users to verify the functionality of motor application-based example code. For further development details, users can refer to the TRM and BSP of the NM1244 for software development. The NK-NM1240L includes the Nuvoton Low Voltage Motor Development Module MOS (Nu-LVMDM-MOS) and the Nuvoton Motor Development Adapter (Nu-MDA-NM1244). The Nu-LVMDM-MOS serves as the power stage, while the Nu-MDA-NM1240 functions as the
M3334YIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334yigae/
NuMicro® M3334YIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334YIGAE 运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 2% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 10% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道
M3334KIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334kigae/
NuMicro® M3334KIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334KIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP128封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 2% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 10% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 –
M3334TIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334tigae/
NuMicro® M3334TIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334TIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN33封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 2% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 10% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道
M3333TIGAE
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NuMicro® M3333TIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333TIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN33封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 2% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 10% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道
M3334SIGAE
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NuMicro® M3334SIGAE 是一款采用 Arm® Cortex® -M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334SIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP64封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 2% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 10% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM)
M3333LIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3333-series/m3333ligae/
NuMicro® M3333LIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone®技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333LIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV 内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) 内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check 时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 2% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 10% – 内部 PLL 高达 180 MHz 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) 定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 – 高达 33
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