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M032TD2AE
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新唐 NuMicro M032TD2AE 微控制器集成了工作频率高达 48 MHz Arm® Cortex®-M0 内核，具有 32 位硬体乘法器/ 除法器。采用 USB 2.0 全速设备并且无需外挂晶振，提供完整的 USB 解决方案，并 配备 64 KB 闪存和 8 KB SRAM 以及提供 1.8V〜3.6V 低电压介面。 M032TD2AE 内嵌一个额外的安全保护 Flash 区块 ( SPROM, Security Protection ROM ) ，提供一个独立且安全加密执行区域以便保护开发者的知识产权。 凭借其特殊设计的性能，如 12 路 96 MHz PWM 可快速响应和控制外部模块，2 MSPS ADC 让电压、电流和传感器数据可快速和精确的转换，非常适用于电竞应用。此外针对消费性电子或传感设备等应用也提供高速通讯界面，24 MHz SPI 适用于高速感测及控制装置，6 MHz UART 并支援 1-wire 功能适用于高速加解密通讯。 M032TD2AE 还提供大量外设，包括 5 通道 PDMA，2 组通用串行控制接口 ( USCI ) 可设为 UART, I²C 或 SPI, 1 组UART，1 组SPI/ I²S，1 組Qual SPI，10 路 12 位 ADC 等，可满足各种应用需求。它可在 - 40°C~ 105 °C 的宽温度范围内工作。全系列相同封装 Pin to Pin 兼容。 应用领域： 電競鍵盤 電池管理模組 LED 燈控器 淨水器 家電 关键特性 : • 内核 ( Core ) - Arm® Cortex®-M0，工作频率可达 48 MHz - 32-bit 硬件乘法/除法器 • 内存 ( Memory ) - 64 KB Flash - 8 KB SRAM - 2 KB ISP ROM - 512 Bytes SPROM ( Security Protection ROM ) - 支持程序更新方式： 在线系统更新 ISP ( In-System Programming ) 在线电路更新 ICP ( In-Circuit Programming ) 在线应用程序更新 IAP ( In-Application Programming ) • 时钟控制 ( Clock control ) - 外部 4 ~ 32 MHz 高速晶振
NUC029 系列
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新唐科技NuMicro® NUC029系列是新一代针对工业控制设计的微控制器产品，具备高可靠性和高抗干扰能力。NuMicro® NUC029系列工作电压 2.5V ~ 5.5V ，工作温度 - 40°C ~ +105°C，工作频率24 MHz ~ 72 MHz ，Flash 16 KB ~ 256 KB ， SRAM 2 KB ~ 20 KB ，且支持丰富的外设，如12-bit ADC 、 UART 、 PWM 、 SPI 、 I²C 等。有些型号并支持除法器、比较器、USB 2.0全速装置。NuMicro® NUC029系列提供多样封装型式 ( TSSOP20、QFN33、QFN48、LQFP48、LQFP64、LQFP128 ) 以满足客户创新产品的需求。NuMicro® NUC029 SEE / LEE / SGE / LGE / KGE 具有USB 2.0全速通讯接口，可支持无需外挂晶振功能以节省材料成本与缩小产品尺寸。 目标应用: 工业控制 智能家居 直流无刷马达 消费类电子产品 主要特征: • 运作特性 - 工作电压: 2.5 V ~ 5.5 V - 工作温度: - 40°C ~ +105°C - EFT 4.4 kV - ESD 高达 HBM 8 kV (NUC029xAN_xAE) - ESD 高达 HBM 8 kV (NUC029xDE) - ESD 高达 HBM 4 kV (NUC029xEE) - ESD 高达 HBM 7 kV (NUC029xGE) • 内核 - Arm® Cortex®-M0 微控制器，工作频率 24 MHz ~ 72 MHz • 内存 - Flash 高达256 KB - SRAM 高达20 KB - LDROM 2 KB (NUC029xAE) - LDROM 4 KB (NUC029xAN) - LDROM 4 KB (NUC029xDE) - LDROM 8 KB (NUC029xEE) - LDROM 4 KB (NUC029xGE) - 支持 ISP ( 在线系统更新 ) / ICP ( 在线电路更新 ) / 支持 IAP ( 在线应用程序更新 ) - 支持外扩界面 ( EBI ) - 高达2 KB SPROM ( Security Protection ROM ) • 时钟控制 - 外部高速晶振 4 MHz
ML54LD1AE
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ML54LD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，内建 LCD 驱动电路，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML54LD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 42 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP48 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • LCD 驅動能力 - 4 x 18, 6 x 20 和 8 x 22 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 -
ML54MD1AE
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ML54MD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，内建 LCD 驱动电路，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML54MD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 38 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP44 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 μs ( HIRC 运行 ) • LCD 驅動能力 - 4 x 17, 6 x 19 和 8 x 21 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 -
ML54SD1AE
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ML54SD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，内建 LCD 驱动电路，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML54SD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 55 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP64 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 μs ( HIRC 运行 ) • LCD 驅動能力 - 4 x 18, 6 x 30 和 8 x 28 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 -
ML56LD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-touch-key-ml56-series/ml56ld1ae/
ML56LD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，内建LCD驱动以及电容触控电路，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML56LD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 42 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP48 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • Touchkey - 内置9路高灵敏度电容触控电路 • LCD 驅動能力 - 4 x 22, 6 x 20 和 8 x 18 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 -
ML56MD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-touch-key-ml56-series/ml56md1ae/
ML56MD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，内建LCD驱动以及电容触控电路，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML56MD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 38 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP44 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • Touchkey - 内置 6 路高灵敏度电容触控电路 • LCD 驅動能力 - 4 x 21, 6 x 19 和 8 x 17 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 -
ML56SD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-touch-key-ml56-series/ml56sd1ae/
ML56SD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，内建LCD驱动以及电容触控电路，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML56SD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 55 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP64 封装。 目标应用: 穿戴式装置、温控器、人机界面、手持式仪表等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • Touchkey - 内置 14 路高灵敏度电容触控电路 • LCD 驅動能力 - 4 x 32, 6 x 30 和 8 x 28 COM / SEG LCD • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 -
M030GGC1AE
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新唐 NuMicro M030GGC1AE 微控制器适用于光模块，集成了 Arm® Cortex®-M0 内核，具有 32 位硬件乘法器/除法器。其工作频率高达 48 MHz，并配备 32 KB Flash 和 4 KB SRAM 以及 2.7V ~ 3.6V 工作电压，支持 5V I/O，可在 - 40 ~ 105 °C 范围内运行 M030GGC1AE 提供大量周边，包括 2 组 32 位定时器、1 组 UART、1 组 SPI、2 组支持 1 MHz 从机模式 I²C、5 通道 PDMA。 M030GGC1AE 提供丰富模拟周边，包含内建温度传感器全温误差为 ± 2 °C，0 °C ~ 70 °C 为 ± 1.6 °C、内部参考电压可输出2.5V、11 通道 12 位 1.4 Msps 采样率 ADC、4 组 12 位 DAC。 由于用于光模块的微控制器需符合其小体积的需求，因此 M030GGC1AE 为 QFN24 脚位 (3 x 3 mm)，且全系列中不同型号相同封装脚位兼容，使系统易于设计和更换器件。 主要特性: • 运作特性 (Operating Characteristics) - 工作电压: 2.7V ~ 3.6V - 工作温度: -40°C ~ 105°C - EFT 4.4 kV - ESD HBM 6 kV • 內核 (Core) - Arm® Cortex®-M0 微控制器，工作频率可达 48 MHz • 内存 (Memory) - 支持 32 KB Flash - 支持 4 KB SRAM - 支持 2 KB LDROM - 支持 512 Bytes SRROM (Security Protection ROM) - 支持ISP (在线系统更新) / ICP (在线电路更新) / IAP (在线应用程序更新) Programming • 时钟源 (Clock control) - 内部 48 MHz 高速振荡器 (HIRC48)，全温误差 ± 2 % - 内部 38.4 kHz 高精度 RC 振荡器 (LIRC) • 电源管理 (Power management) - 内建上电复位、欠压复位和低电压复位 - 正常运行：200 μA / MHz - 掉电：200 μA - 支持从掉电模式唤醒: GPIO, WDT, TIMER,
M030GGD1AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m0-mcus/m029g-m030g-m031g-series/m030ggd1ae/
新唐 NuMicro M030GGD1AE 微控制器适用于光模块，集成了 Arm® Cortex®-M0 内核，具有 32 位硬件乘法器/除法器。其工作频率高达 48 MHz，并配备 64 KB Flash 和 4 KB SRAM 以及 2.7V ~ 3.6V 工作电压，支持 5V I/O，可在 - 40 ~ 105 °C 范围内运行 M030GGD1AE 提供大量周边，包括 2 组 32 位定时器、1 组 UART、1 组 SPI、2 组支持 1 MHz 从机模式 I²C、5 通道 PDMA。 M030GGD1AE 提供丰富模拟周边，包含内建温度传感器全温误差为 ± 2 °C，0 °C ~ 70 °C 为 ± 1.6 °C、内部参考电压可输出2.5V、11 通道 12 位 1.4 Msps 采样率 ADC、4 组 12 位 DAC。 由于用于光模块的微控制器需符合其小体积的需求，因此 M030GGD1AE 为 QFN24 脚位 (3 x 3 mm)，且全系列中不同型号相同封装脚位兼容，使系统易于设计和更换器件。 主要特性: • 运作特性 (Operating Characteristics) - 工作电压: 2.7V ~ 3.6V - 工作温度: -40°C ~ 105°C - EFT 4.4 kV - ESD HBM 6 kV • 內核 (Core) - Arm® Cortex®-M0 微控制器，工作频率可达 48 MHz • 内存 (Memory) - 支持 64 KB Flash - 支持 4 KB SRAM - 支持 2 KB LDROM - 支持 512 Bytes SRROM (Security Protection ROM) - 支持ISP (在线系统更新) / ICP (在线电路更新) / IAP (在线应用程序更新) Programming • 时钟源 (Clock control) - 内部 48 MHz 高速振荡器 (HIRC48)，全温误差 ± 2 % - 内部 38.4 kHz 高精度 RC 振荡器 (LIRC) • 电源管理 (Power management) - 内建上电复位、欠压复位和低电压复位 - 正常运行：200 μA / MHz - 掉电：200 μA - 支持从掉电模式唤醒: GPIO, WDT, TIMER,
粤公网安备 44030502010001号