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M254/ M256/ M258 低功耗 LCD 系列
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新唐科技 NuMicro® M254/M256/M258 系列是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 LCD 驱动、电容式触控以及 USB2.0 全速设备，本系列基于 M23 内核支持 Armv8-M 指令集架构，工作频率为 48 MHz，内建高达 256 KB Flash 及高达 32 KB SRAM，运作在 1.75V 至 5.5V 宽工作电压和 -40℃ 至 105℃ 的工业温度范围。 NuMicro M254/M256/M258 系列在正常运行模式典型功耗为 110 μA/ MHz，掉电模式RTC开启与数据保持的功耗为 3.8 μA，掉电模式数据保持但 RTC 关闭的功耗为 2.2 μA，深度掉电模式最低功耗为 1.6 μA。当主电源断电时本系列整合独立的 VBAT 引脚仍能提供 RTC 独立电源，使其更适用于电池装置。 M254/M256/M258 系列内建 8 x 44, 6 x 46, 4 x 48 COM/SEG 驱动控制器，具备电荷泵以及内部电阻分压驱动 LCD 方式，电荷泵用以确保电池电压降低的情况下 MCU 仍能使 LCD 对比度保持一致，并能支持 3V 至 5V 的 LCD 玻璃；M256/M258 系列提供触控按键侦测电路，增加可调配参数有利于 Touch key 算法的执行效率，内建高达 24 信道独立按键，并具备低功耗、防水以及高抗干扰的特色；M258 系列支持无须外挂晶振的 USB 2.0 全速设备接口并符合 USB BC 1.2 标准，提供最高 1.5 A 的高速充电功能。 M254/M256/M258 系列支持丰富的周边接口，如定时器、看门狗定时器、实时时钟、高达八路的 PDMA、四组 UART、两组 I²C、两组 SPI/I²S、两组 USCI (通用串行接口)、一组 ISO-7816-3 界面与 12 路 16 位 PWM。另 NuMicro M258 系列整合高性能模拟周边电路，包含 16 信道 12 位 730 kSPS 采样率 ADC、两组模拟比较器 (ACMP)、两组 12 位 1 MSPS DAC 与温度检测传感器来降低外部周边组件的采用并缩小终端产品尺寸。 封装型式包括 LQFP44、LQFP64 与 LQFP128，同封装型式的脚位兼容让用户能够弹性地优化产品规格与效能。 新唐 M258 NuMaker
M252LD2AE
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新唐科技 NuMicro® M252LD2AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。 其工作频率达 48 MHz ，内嵌 64 KB Flash，12 KB SRAM ，4 KB LDROM，支持 1.8 ~ 5.5 V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M252LD2AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA / MHz ( @ 48 MHz ) ，闲置模式下工作电流约 60 μA / MHz ，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 ) ，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M252LD2AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M252LD2AE 提供 4 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I / O，PSIO ) ，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI …等 ) 、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等 )。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M252LD2AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI ) ，可支持 6 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5 V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M252LD2AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM ) ，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。佐以 96 位元晶片唯一序號 ( Unique Identification, UID ) 及 128 位元唯一客戶序號 ( Unique
M252LE3AE
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新唐科技 NuMicro® M252LE3AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。 其工作频率达 48 MHz ，内嵌 128 KB Flash，16 KB SRAM ，4 KB LDROM，支持 1.8 ~ 5.5 V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M252LE3AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA / MHz ( @ 48 MHz ) ，闲置模式下工作电流约 60 μA / MHz ，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 ) ，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M252LE3AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M252LE3AE 提供 8 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I / O，PSIO ) ，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI …等 ) 、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等 )。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M252LE3AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI ) ，可支持 6 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5 V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M252LE3AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM ) ，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。佐以 96 位元晶片唯一序號 ( Unique Identification, UID ) 及 128 位元唯一客戶序號 ( Unique
M252LG6AE
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新唐科技 NuMicro® M252LG6AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。 其工作频率达 48 MHz ，内嵌 256 KB Flash，32 KB SRAM ，4 KB LDROM，支持 1.8 ~ 5.5 V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M252LG6AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA / MHz ( @ 48 MHz ) ，闲置模式下工作电流约 60 μA / MHz ，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 ) ，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M252LG6AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M252LG6AE 提供 8 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I / O，PSIO ) ，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI …等 ) 、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等 )。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M252LG6AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI ) ，可支持 6 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5 V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M252LG6AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM ) ，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。佐以 96 位元晶片唯一序號 ( Unique Identification, UID ) 及 128 位元唯一客戶序號 ( Unique
M252SC2AE
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新唐科技 NuMicro® M252SC2AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。 其工作频率达 48 MHz ，内嵌 32 KB Flash，12 KB SRAM ，4 KB LDROM，支持 1.8 ~ 5.5 V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M252SC2AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA / MHz ( @ 48 MHz ) ，闲置模式下工作电流约 60 μA / MHz ，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 ) ，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M252SC2AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M252SC2AE 提供 4 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I / O，PSIO ) ，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI …等 ) 、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等 )。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M252SC2AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI ) ，可支持 6 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5 V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M252SC2AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM ) ，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。Tamper 引脚则用来避免黑客的恶意破坏。佐以 96 位元晶片唯一序號 ( Unique Identification, UID ) 及 128
M252SD2AE
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新唐科技 NuMicro® M252SD2AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。 其工作频率达 48 MHz ，内嵌 64 KB Flash，12 KB SRAM ，4 KB LDROM，支持 1.8 ~ 5.5 V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M252SD2AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA / MHz ( @ 48 MHz ) ，闲置模式下工作电流约 60 μA / MHz ，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 ) ，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M252SD2AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M252SD2AE 提供 4 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I / O，PSIO ) ，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI …等 ) 、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等 )。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M252SD2AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI ) ，可支持 6 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5 V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M252SD2AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM ) ，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。Tamper 引脚则用来避免黑客的恶意破坏。佐以 96 位元晶片唯一序號 ( Unique Identification, UID ) 及 128
M252ZD2AE
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新唐科技 NuMicro® M252ZD2AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。 其工作频率达 48 MHz ，内嵌 64 KB Flash，12 KB SRAM ，4 KB LDROM，支持 1.8 ~ 5.5 V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M252ZD2AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA / MHz ( @ 48 MHz ) ，闲置模式下工作电流约 60 μA / MHz ，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 ) ，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M252ZD2AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M252ZD2AE 提供 4 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I / O，PSIO ) ，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI …等 ) 、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等 )。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M252ZD2AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI ) ，可支持 4 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5 V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M252ZD2AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM ) ，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。佐以 96 位元晶片唯一序號 ( Unique Identification, UID ) 及 128 位元唯一客戶序號 ( Unique
M251KE3AE
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新唐科技 NuMicro® M251KE3AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。 其工作频率达 48 MHz ，内嵌 128 KB Flash，16 KB SRAM ，4 KB LDROM，支持 1.8 ~ 5.5 V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M251KE3AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA / MHz ( @ 48 MHz ) ，闲置模式下工作电流约 60 μA / MHz ，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 ) ，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M251KE3AE 具有独立的 RTC 电源 VBAT 以实现主电源关闭而单独供电 VBAT 的低功耗操作模式。NuMicro® M251KE3AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M251KE3AE 提供 8 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I / O，PSIO ) ，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI …等 ) 、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等 )。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M251KE3AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI ) ，可支持 6 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5 V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M251KE3AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM ) ，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。Tamper
M251KG6AE
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新唐科技NuMicro® M251KG6AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。其工作频率达 48 MHz，内嵌 256 KB Flash, 32 KB SRAM, 4 KB LDROM，支持1.8 ~ 5.5V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M251KG6AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA/MHz ( @48 MHz )，闲置模式下工作电流约 60 μA /MHz，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 )，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M251KG6AE 具有独立的 RTC 电源 VBAT 以实现主电源关闭而单独供电 VBAT 的低功耗操作模式。NuMicro® M251KG6AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M251KG6AE 提供 8 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I/O，PSIO )，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI…等 )、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等)。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M251KG6AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI )，可支持 6 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M251KG6AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM )，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。Tamper 引脚则用来避免黑客的恶意破坏。佐以 96
M251SE3AE
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新唐科技 NuMicro® M251SE3AE 是新一代 32 位低功耗微控制器产品，内建 Arm® Cortex®-M23 内核，支持 Armv8-M 指令集架构。 其工作频率达 48 MHz ，内嵌 128 KB Flash，16 KB SRAM ，4 KB LDROM，支持 1.8 ~ 5.5 V 宽工作电压和 - 40 ~ 105 ℃ 工作温度范围。 NuMicro® M251SE3AE 具有低功耗表现，运行模式下工作电流约 138 μA / MHz ( @ 48 MHz ) ，闲置模式下工作电流约 60 μA / MHz ，掉电模式 2.5 μA ( RTC 开启，RAM 数据保持 ) ，掉电模式 1.7 μA ( RTC 关闭，RAM 数据保持 ) 和深度掉电模式。NuMicro® M251SE3AE 具有独立的 RTC 电源 VBAT 以实现主电源关闭而单独供电 VBAT 的低功耗操作模式。NuMicro® M251SE3AE 因其低功耗、宽工作电压和待机模式下快速唤醒等特征，使其特别适合于电池供电的物联网应用。 NuMicro® M251SE3AE 提供 8 通道新唐自有专利的可程序化串行接口 ( Programmable Serial I / O，PSIO ) ，能够藉由此 PSIO 硬件产生任意且多样的串行通讯格式与外部接口沟通。PSIO 可以仿真常见的串行通讯接口 ( UART、SPI …等 ) 、特定应用的串行通讯接口 ( 使用在 EEPROM, 读卡机…等应用的特定通讯协议 ) 和私有协议的串行通讯接口 ( 用来做 LED 灯控的类 SPI 协议…等 )。PSIO 硬件能仿真多样的串行通信协议，同时具有低运算负载、低控制复杂度和高时序精度等优点。高度弹性的通讯周边通讯能力使得 PSIO 成为一个出色且强大的通讯接口工具。 NuMicro® M251SE3AE 整合可变电压接口 ( Voltage Adjustable Interface，VAI ) ，可支持 6 个脚位，能够提供 1.65 ~ 5.5 V 的第二组通讯接口电压，与周边组件相连接时无需增加电压准位转换器。 NuMicro® M251SE3AE 内建可编程的 eXecute-Only-Memory ( XOM ) ，以保护关键程序代码并防止韧体逆向工程。Tamper
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