搜寻
M3334YIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334yigae/
NuMicro® M3334YIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334YIGAE 运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM)
M3334LIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334ligae/
NuMicro® M3334LIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone®技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334LIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV 内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) 内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check 时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) 定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 – 高达
M3333YIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3333-series/m3333yigae/
NuMicro® M3333YIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333YIGAE 运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM)
M3334TIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334tigae/
NuMicro® M3334TIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334TIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN33封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道
M3351VICAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3351-series/m3351vicae/
NuMicro® M3351VICAE 是一款为 5V 供电与有高抗杂讯需求的工业应用所设计的微控制器。采用 Arm® Cortex®-M33 内核，最高运行频率可达 144 MHz，并具备完整的 DSP 指令集与单精度浮点运算单元（FPU），可在实时控制、信息处理与多通信整合应用中提供优异性能。支持工作电压范围 2.7V 至 5.5V，工作温度范围 -40°C 至 +105°C，并具备 ±4 kV ESD HBM 与 ±4.4 kV EFT 抗扰能力，特别适合工业设备、智能家电、人机界面与电脑外设等对稳定性与抗噪能力要求严格的应用。 关键特性: ● 操作特性 – 电压范围：2.7V ~ 5.5V – 温度范围：-40°C ~ +105°C – ESD HBM：±4 kV – EFT：±4.4 kV – Latch Up：±200 mA ● 内核 – 搭载 TrustZone® 的 Arm® Cortex®-M33 内核，频率高达 144 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) – 内存：512 KBytes 闪存，Dual Bank – 具备错误更正码 (ECC) 的 Flash 存储器 – Secure Boot ROM (MaskROM)：32 KB – LDROM Flash：16 KB – 独立的 64 KB Flash (高达 100,000 次的写入/擦除次数) – 写入保护功能 for APROM, LDROM 和 Data Flash – SRAM：128 KB with ECC ● 外部存储器接口 – 外部匯流排介面 (EBI)，支援 8/16 位元資料寬度、i80 LCD 介面 ● 时钟 – 4~32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器 – 内部 38.4 kHz RC 振荡器 – 内部 PLL 高达 144 MHz ● 周边直接存储器存取 (PDMA) – 1 组 12 通道周边直接存储器存取 (PDMA) – 通道可由软件、UART, SPI, PWM, TIMER, ADC, ACMP 与 I²C 触发 ● 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：87.
M3351SJCAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3351-series/m3351sjcae/
NuMicro® M3351SJCAE 是一款为 5V 供电与有高抗杂讯需求的工业应用所设计的微控制器。采用 Arm® Cortex®-M33 内核，最高运行频率可达 144 MHz，并具备完整的 DSP 指令集与单精度浮点运算单元（FPU），可在实时控制、信息处理与多通信整合应用中提供优异性能。支持工作电压范围 2.7V 至 5.5V，工作温度范围 -40°C 至 +105°C，并具备 ±4 kV ESD HBM 与 ±4.4 kV EFT 抗扰能力，特别适合工业设备、智能家电、人机界面与电脑外设等对稳定性与抗噪能力要求严格的应用。 关键特性: ● 操作特性 – 电压范围：2.7V ~ 5.5V – 温度范围：-40°C ~ +105°C – ESD HBM：±4 kV – EFT：±4.4 kV – Latch Up：±200 mA ● 内核 – 搭载 TrustZone® 的 Arm® Cortex®-M33 内核，频率高达 144 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) – 内存：1024 KBytes 闪存，Dual Bank – 具备错误更正码 (ECC) 的 Flash 存储器 – Secure Boot ROM (MaskROM)：32 KB – LDROM Flash：16 KB – 独立的 64 KB Flash (高达 100,000 次的写入/擦除次数) – 写入保护功能 for APROM, LDROM 和 Data Flash – SRAM：128 KB with ECC ● 时钟 – 4~32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器 – 内部 38.4 kHz RC 振荡器 – 内部 PLL 高达 144 MHz ● 周边直接存储器存取 (PDMA) – 1 组 12 通道周边直接存储器存取 (PDMA) – 通道可由软件、UART, SPI, PWM, TIMER, ADC, ACMP 与 I²C 触发 ● 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：87.08 μA/MHz（于 25°C / 5.0V） – 正常掉电模式 (NPD2)：219.
M3351VJCAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3351-series/m3351vjcae/
NuMicro® M3351VJCAE 是一款为 5V 供电与有高抗杂讯需求的工业应用所设计的微控制器。采用 Arm® Cortex®-M33 内核，最高运行频率可达 144 MHz，并具备完整的 DSP 指令集与单精度浮点运算单元（FPU），可在实时控制、信息处理与多通信整合应用中提供优异性能。支持工作电压范围 2.7V 至 5.5V，工作温度范围 -40°C 至 +105°C，并具备 ±4 kV ESD HBM 与 ±4.4 kV EFT 抗扰能力，特别适合工业设备、智能家电、人机界面与电脑外设等对稳定性与抗噪能力要求严格的应用。 关键特性: ● 操作特性 – 电压范围：2.7V ~ 5.5V – 温度范围：-40°C ~ +105°C – ESD HBM：±4 kV – EFT：±4.4 kV – Latch Up：±200 mA ● 内核 – 搭载 TrustZone® 的 Arm® Cortex®-M33 内核，频率高达 144 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) – 内存：1024 KBytes 闪存，Dual Bank – 具备错误更正码 (ECC) 的 Flash 存储器 – Secure Boot ROM (MaskROM)：32 KB – LDROM Flash：16 KB – 独立的 64 KB Flash (高达 100,000 次的写入/擦除次数) – 写入保护功能 for APROM, LDROM 和 Data Flash – SRAM：128 KB with ECC ● 外部存储器接口 – 外部匯流排介面 (EBI)，支援 8/16 位元資料寬度、i80 LCD 介面 ● 时钟 – 4~32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器 – 内部 38.4 kHz RC 振荡器 – 内部 PLL 高达 144 MHz ● 周边直接存储器存取 (PDMA) – 1 组 12 通道周边直接存储器存取 (PDMA) – 通道可由软件、UART, SPI, PWM, TIMER, ADC, ACMP 与 I²C 触发 ● 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：87.
M3351KJCAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3351-series/m3351kjcae/
NuMicro® M3351KJCAE 是一款为 5V 供电与有高抗杂讯需求的工业应用所设计的微控制器。采用 Arm® Cortex®-M33 内核，最高运行频率可达 144 MHz，并具备完整的 DSP 指令集与单精度浮点运算单元（FPU），可在实时控制、信息处理与多通信整合应用中提供优异性能。支持工作电压范围 2.7V 至 5.5V，工作温度范围 -40°C 至 +105°C，并具备 ±4 kV ESD HBM 与 ±4.4 kV EFT 抗扰能力，特别适合工业设备、智能家电、人机界面与电脑外设等对稳定性与抗噪能力要求严格的应用。 关键特性: ● 操作特性 – 电压范围：2.7V ~ 5.5V – 温度范围：-40°C ~ +105°C – ESD HBM：±4 kV – EFT：±4.4 kV – Latch Up：±200 mA ● 内核 – 搭载 TrustZone® 的 Arm® Cortex®-M33 内核，频率高达 144 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) – 内存：1024 KBytes 闪存，Dual Bank – 具备错误更正码 (ECC) 的 Flash 存储器 – Secure Boot ROM (MaskROM)：32 KB – LDROM Flash：16 KB – 独立的 64 KB Flash (高达 100,000 次的写入/擦除次数) – 写入保护功能 for APROM, LDROM 和 Data Flash – SRAM：128 KB with ECC ● 外部存储器接口 – 外部匯流排介面 (EBI)，支援 8/16 位元資料寬度、i80 LCD 介面 ● 时钟 – 4~32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器 – 内部 38.4 kHz RC 振荡器 – 内部 PLL 高达 144 MHz ● 周边直接存储器存取 (PDMA) – 1 组 12 通道周边直接存储器存取 (PDMA) – 通道可由软件、UART, SPI, PWM, TIMER, ADC, ACMP 与 I²C 触发 ● 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：87.
M3351KICAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3351-series/m3351kicae/
NuMicro® M3351KICAE 是一款为 5V 供电与有高抗杂讯需求的工业应用所设计的微控制器。采用 Arm® Cortex®-M33 内核，最高运行频率可达 144 MHz，并具备完整的 DSP 指令集与单精度浮点运算单元（FPU），可在实时控制、信息处理与多通信整合应用中提供优异性能。支持工作电压范围 2.7V 至 5.5V，工作温度范围 -40°C 至 +105°C，并具备 ±4 kV ESD HBM 与 ±4.4 kV EFT 抗扰能力，特别适合工业设备、智能家电、人机界面与电脑外设等对稳定性与抗噪能力要求严格的应用。 关键特性: ● 操作特性 – 电压范围：2.7V ~ 5.5V – 温度范围：-40°C ~ +105°C – ESD HBM：±4 kV – EFT：±4.4 kV – Latch Up：±200 mA ● 内核 – 搭载 TrustZone® 的 Arm® Cortex®-M33 内核，频率高达 144 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) – 内存：512 KBytes 闪存，Dual Bank – 具备错误更正码 (ECC) 的 Flash 存储器 – Secure Boot ROM (MaskROM)：32 KB – LDROM Flash：16 KB – 独立的 64 KB Flash (高达 100,000 次的写入/擦除次数) – 写入保护功能 for APROM, LDROM 和 Data Flash – SRAM：128 KB with ECC ● 外部存储器接口 – 外部匯流排介面 (EBI)，支援 8/16 位元資料寬度、i80 LCD 介面 ● 时钟 – 4~32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器 – 内部 38.4 kHz RC 振荡器 – 内部 PLL 高达 144 MHz ● 周边直接存储器存取 (PDMA) – 1 组 12 通道周边直接存储器存取 (PDMA) – 通道可由软件、UART, SPI, PWM, TIMER, ADC, ACMP 与 I²C 触发 ● 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：87.
M3351YJCAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3351-series/m3351yjcae/
NuMicro® M3351YJCAE 是一款为 5V 供电与有高抗杂讯需求的工业应用所设计的微控制器。采用 Arm® Cortex®-M33 内核，最高运行频率可达 144 MHz，并具备完整的 DSP 指令集与单精度浮点运算单元（FPU），可在实时控制、信息处理与多通信整合应用中提供优异性能。支持工作电压范围 2.7V 至 5.5V，工作温度范围 -40°C 至 +105°C，并具备 ±4 kV ESD HBM 与 ±4.4 kV EFT 抗扰能力，特别适合工业设备、智能家电、人机界面与电脑外设等对稳定性与抗噪能力要求严格的应用。 关键特性: ● 操作特性 – 电压范围：2.7V ~ 5.5V – 温度范围：-40°C ~ +105°C – ESD HBM：±4 kV – EFT：±4.4 kV – Latch Up：±200 mA ● 内核 – 搭载 TrustZone® 的 Arm® Cortex®-M33 内核，频率高达 144 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) – 内存：1024 KBytes 闪存，Dual Bank – 具备错误更正码 (ECC) 的 Flash 存储器 – Secure Boot ROM (MaskROM)：32 KB – LDROM Flash：16 KB – 独立的 64 KB Flash (高达 100,000 次的写入/擦除次数) – 写入保护功能 for APROM, LDROM 和 Data Flash – SRAM：128 KB with ECC ● 时钟 – 4~32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器 – 内部 38.4 kHz RC 振荡器 – 内部 PLL 高达 144 MHz ● 周边直接存储器存取 (PDMA) – 1 组 12 通道周边直接存储器存取 (PDMA) – 通道可由软件、UART, SPI, PWM, TIMER, ADC, ACMP 与 I²C 触发 ● 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：87.08 μA/MHz（于 25°C / 5.0V） – 正常掉电模式 (NPD2)：219.
粤公网安备 44030502010001号