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NK-NM1240L
https://www.nuvoton.com.cn/board/nk-nm1240l/
The NK-NM1240L is an evaluation board (EVB) featuring an ARM Cortex-M0 MCU (NM1244) and an external 200V N/N-based gate driver (IR2101), along with external MOSFETs and variable resistors for controlling motor drive waveform and current phase. It supports the operation of three-phase brushless DC motors (BLDCMs) and permanent magnet synchronous motors (PMSMs), delivering a continuous drain current (IDSM) of 15A in 12V–48V DC rail or battery-powered applications. The NK-NM1240L is designed for project evaluation, prototype development, and validation, allowing users to verify the functionality of motor application-based example code. For further development details, users can refer to the TRM and BSP of the NM1244 for software development. The NK-NM1240L includes the Nuvoton Low Voltage Motor Development Module MOS (Nu-LVMDM-MOS) and the Nuvoton Motor Development Adapter (Nu-MDA-NM1244). The Nu-LVMDM-MOS serves as the power stage, while the Nu-MDA-NM1240 functions as the
M3333KIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3333-series/m3333kigae/
NuMicro® M3333KIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333KIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP128封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 –
M3333SIGAE
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NuMicro® M3333SIGAE 是一款采用 Arm® Cortex® -M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333SIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP64封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM)
M3333LIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3333-series/m3333ligae/
NuMicro® M3333LIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone®技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333LIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV 内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) 内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check 时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) 定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 – 高达
M3333TIGAE
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NuMicro® M3333TIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333TIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN33封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道
M3334KIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334kigae/
NuMicro® M3334KIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334KIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP128封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 –
M3334SIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334sigae/
NuMicro® M3334SIGAE 是一款采用 Arm® Cortex® -M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334SIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP64封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM)
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