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NUC029FAE
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NuMicro® NUC029FAE特色为宽电压工作范围 2.5V ~ 5.5V ，工作温度 - 40 ℃ ~ +105 ℃ ，操作频率达24 MHz ，具备16 KB Flash和2 KB SRAM 。内建 22.1184 MHz 高精度晶振。NUC029FAE备有丰富的外设，如高达3通道 PWM 、4通道10位 ADC 、定时器、看门狗定时器、 UART 、 SPI 、 I²C …等。 目标应用: LED灯光控制、工业控制、马达控制等。 主要特色: • 运作特性 - 工作电压: 2.5 V ~ 5.5 V - 温度范围: - 40°C ~ +105°C • 内核 - Arm® Cortex®-M0微控制器 - 最高运行频率 24 MHz • 内存 - 16 KB 应用程序Flash - 内嵌 2 KB SRAM - 2 KB ISP ROM - 支持 ISP / ICP / IAP • 脉宽调变 ( PWM ) - 内建3位16位 PWM 产生器 • 模拟转数字转换器 ( ADC ) - 提供4个频道 - 10位分辨率 - 可达 300 kSPS ( 每秒采样率 ) • 通讯接口 ( Connectivity ) - 1 组 SPI - 1 组 I²C - 1 组 UART • 时钟控制 - 外部 4 ~ 24 MHz 高速晶振 - 内部 22.1184 MHz - 10 KHz 低功耗振荡器 - 外部低速晶振32.768 KHz • 封装 - TSSOP20 ( 4.4X6.5mm ) NUC029FAE
KM1M7AF50N
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m7-mcus/km1m7af-digital-power-control-series/km1m7af50n/
The KM1M7A series, ideal for controlling power electronics, is a 32-bit Flash microcontroller featuring both high processing power and low power consumption, and incorporating the Arm® Cortex®-M7. The PWM series features a high-performance, high-resolution PWM, high-speed, high-precision AD converter, and feedback control assist functions that are ideal for digital power supply control, contributing to power electronics products that require high efficiency, low heat generation, and miniaturization. Block Diagram Outline Specifications •Built-in Arm® Cortex ® -M7 core •12-bit A/D converter Single- and double-precision FPUs Minimum conversion time 0.5μs (2.0Msps) •Clock frequency: 160 MHz 3 units, 32 channels •Internal memory •Variable Gain Amplifier (VGA) Instruction Flash ROM: 512 KB 5 units Flash ROM for data: 64 KB •Comparator: 5 units Instruction RAM: 64 KB Window/2 level/1 levell switchable RAM for data: 64 KB •Functional Safety •DMA controller: 2 units / 16 channels ROM/RAM ECC
KM1M7AF52N
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The KM1M7A series, ideal for controlling power electronics, is a 32-bit Flash microcontroller featuring both high processing power and low power consumption, and incorporating the Arm® Cortex®-M7. The PWM series features a high-performance, high-resolution PWM, high-speed, high-precision AD converter, and feedback control assist functions that are ideal for digital power supply control, contributing to power electronics products that require high efficiency, low heat generation, and miniaturization. Block Diagram Outline Specifications •Built-in Arm® Cortex ® -M7 core •12-bit A/D converter Single- and double-precision FPUs Minimum conversion time 0.5μs (2.0Msps) •Clock frequency: 160 MHz 3 units, 32 channels •Internal memory •Variable Gain Amplifier (VGA) Instruction Flash ROM: 512 KB 5 units Flash ROM for data: 64 KB •Comparator: 5 units Instruction RAM: 64 KB Window/2 level/1 levell switchable RAM for data: 64 KB •Functional Safety •DMA controller: 2 units / 16 channels ROM/RAM ECC
NUC980DR61Y
https://www.nuvoton.com.cn/products/microprocessors/arm9-mpus/nuc980-industrial-control-iot-series/nuc980dr61y/
Not Recommended for New Design (NRND) Recommended Part Number : NUC980DR63YC NUC980DR61Y 系列采用 ARM926EJ-S 核心，执行速度高达 300 MHz ，堆栈 64 MB DDR-II 内存于同一封装，提供 64-pin LQFP 封装，大幅减少 PCB 尺寸和降低电磁干扰 ( EMI ) ，丰富的周边功能包含：8 组 UART 接口、SDIO / eMMC 接口、10 / 100 Mbps Ethernet MAC 和高速 USB 2.0 Host / Device 等，可以满足客户针对显示应用弹性设计的需求，并符合 - 40 ℃ 至 85 ℃ 工业温度规格，主要应用为工业自动化与物联网控制。 关键特性： • 核心 - ARM926EJ-S 核心 - 最高运行速度 300 MHz - 16 KB 指令高速缓存 ( I-cache ) 和 16 KB 数据高速缓存 ( D-cache ) • DDR 内存 - 内建 64 MB DDR II 内存 • USB 2.0 高速主机 / 装置 - 提供 2 组 USB 接口：1 组 USB Host 及 1 组 USB Host / Device • 系统开机选择 - SPI Flash - eMMC Flash - SD Card - USB Device • 20-ch 周边 DMA 控制器 • 影像输入接口 - 最高支持 2 组 CCIR 656 / CCIR 601 - 最高分辨率 3 M 像素 • SD 主机控制器 - 2 组 SD 主机 - 支援 SD Card / SDIO / eMMC • ADC - 12-bit 5 通道 ADC - 600 k sps • 加解密引擎 - ECC-256 - AES-256 - RSA-2048 - SHA-512 - HMAC - 随机数生成器 • 周边 - 支持 SPI / I²C / PWM / UART NUC980DR61Y
ML51DB9AE
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ML51DB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA / MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51DB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 11 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI，并提供 TSSOP14 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 5 % 精度等级 - 38.4 kHz 低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.
ML51EB9AE
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ML51EB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51EB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 24 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI，并提供 TSSOP28 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 (DPTRs) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 16K字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级 - 38.4 kHz 低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.
ML51FB9AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51fb9ae/
ML51FB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51FB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 16 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI，并提供 TSSOP20 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计(ISP)代码 - APROM中应用编程(IAP)内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) ，通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 5 % 精度等级 - 38.4 kHz 低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级 - 外置 4 ~ 24 MHz ( HXT )
ML51OB9AE
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ML51OB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA / MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51OB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 16 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI，并提供 SOP20 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级 - 38.4 kHz 低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 ℃, 3.
ML51UB9AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51ub9ae/
ML51UB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51UB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 24 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI，并提供 SOP28 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 (DPTRs) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24MHz高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 °C, 3.3V ) 全工作条件范围下精度 ± 5 % 精度等级 - 38.4 kHz低速内部振荡器 ( LIRC ) ± 1 %精度等级 ( 25 °C, 3.
ML51XB9AE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/8bit-8051-mcus/low-power-ml51-series/ml51xb9ae/
ML51XB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51XB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 17 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI，并提供 QFN20 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 (DPTRs) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 uA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 uA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 uA - 掉电模式典型功耗小于 1 uA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计（ISP）代码 - APROM中应用编程（IAP）内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K字节片上辅助 RAM (XRAM) ，通过 MOVX 指令访问 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 (HIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级 - 38.4 kHz低速内部振荡器 (LIRC) ± 1 %精度等级 (25 °C, 3.3 V) ， 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级 - 外置 4 ～ 24 MHz (HXT)
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