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ML51LD1AE
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ML51LD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51LD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 43 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP48 封装。 目标应用: 穿戴式装置、互联网端点设备、智能家居、手持电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1
ML51PB9AE
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ML51PB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA / MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51PB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 24 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP32 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 μs ( HIRC 运行 ) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式: 传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 •
ML51SD1AE
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ML51SD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51SD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 56 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 LQFP64 封装。 目标应用: 穿戴式装置、互联网端点设备、智能家居、手持电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ±
ML51TB9AE
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ML51TB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51TB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM )，备有丰富的外设，如 28 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 QFN33 封装。 目标应用: 穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 5.5V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 + 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA/ MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us (HIRC运行) • 内存 - 16 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4 K / 3 K / 2 K / 1 K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 1 K字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式: 外部设备到内存, 内存到外部设备, 和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式: 传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24
ML51TD1AE
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ML51TD1AE 为内建 flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 μA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 μA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V，工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。 ML51TD1AE 包含 64 K 字节的 Flash 以及一个额外 4 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设，如 28 个通用 I/O、2 组串口、2 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 2 组 SPI，并提供 QFN33 封装。 目标应用: 穿戴式装置、互联网端点设备、智能家居、手持电池装置等。 关键特性: • CPU - 全静态 8 位 1T 8051 内核 CMOS 微控制器 - 指令集全兼容 MCS-51 - 4 级优先级中断配置 - 双数据指针 ( DPTRs ) • 工作条件 - 宽电压工作范围 1.8V 至 3.6V - 宽工作频率最高至 24 MHz - 工业级工作温度 - 40 ℃ 至 105 ℃ • 低功耗特性 - 正常运行模式典型功耗 80 μA / MHz - 低功耗运行模式典型功耗 15 μA - 低功耗空闲模式功耗不超过 13 μA - 掉电模式典型功耗小于 1 μA - 掉电模式下唤醒时间为 10 us ( HIRC 运行 ) • 内存 - 64 K 字节 APROM， 用于使用者代码 - 可配置 4K/3K/2K/1K 字节 LDROM， 用于启动系统程序设计 ( ISP ) 代码 - APROM 中应用编程 ( IAP ) 内存 128 字节每页累加 - Flash 内存 100,000 次擦写寿命 - 代码安全加密 - 256 字节片上 RAM - 额外 4 K 字节片上辅助 RAM ( XRAM ) ，通过 MOVX 指令访问 • PDMA - 三种模式：外部设备到内存、内存到外部设备和内存到内存传输 - 所有模式下源地址和目标地址必须字对齐 - 内存到内存模式：传输长度必须字对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据长度可以字节对齐 - 外部设备到内存和内存到外部设备模式：传输数据宽度字节对齐 • 时钟源 - 24 MHz 高速内部振荡器 ( HIRC ) ± 1
M031GGC2AE
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新唐 NuMicro M031GGC2AE 微控制器适用于光模块，集成了 Arm® Cortex®-M0 内核，具有 32 位硬件乘法器/除法器。其工作频率高达 48 MHz，并配备 32 KB Flash 和 8 KB SRAM 以及 2.7V ~ 3.6V 工作电压，支持 5V I/O，可在 - 40 ~ 105 °C 范围内运行 M031GGC2AE 提供大量周边，包括 2 组 32 位定时器、1 组 UART、1 组 SPI、2 组支持 1 MHz 从机模式 I²C、5 通道 PDMA。 M031GGC2AE 提供丰富模拟周边，包含内建温度传感器全温误差为 ± 2 °C，0 °C ~ 70 °C 为 ± 1.6 °C、内部参考电压可输出2.5V、11 通道 12 位 1.4 Msps 采样率 ADC、4 组 12 位 DAC。 由于用于光模块的微控制器需符合其小体积的需求，因此 M031GGC2AE 为 QFN24 脚位 (3 x 3 mm)，且全系列中不同型号相同封装脚位兼容，使系统易于设计和更换器件。 主要特性: • 运作特性 (Operating Characteristics) - 工作电压: 2.7V ~ 3.6V - 工作温度: -40°C ~ 105°C - EFT 4.4 kV - ESD HBM 6 kV • 內核 (Core) - Arm® Cortex®-M0 微控制器，工作频率可达 72 MHz • 内存 (Memory) - 支持 32 KB Flash - 支持 8 KB SRAM - 支持 2 KB LDROM - 支持 512 Bytes SRROM (Security Protection ROM) - 支持ISP (在线系统更新) / ICP (在线电路更新) / IAP (在线应用程序更新) Programming • 时钟源 (Clock control) - 内部 48 MHz 高速振荡器 (HIRC48)，全温误差 ± 2 % - 内部 38.4 kHz 高精度 RC 振荡器 (LIRC) • 电源管理 (Power management) - 内建上电复位、欠压复位和低电压复位 - 正常运行：200 μA / MHz - 掉电：200 μA - 支持从掉电模式唤醒: GPIO, WDT, TIMER,
M031GGD2AE
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新唐 NuMicro M031GGD2AE 微控制器适用于支持调顶的光模块，集成了 Arm® Cortex®-M0 内核，具有 32 位硬件乘法器/除法器。其工作频率高达 72 MHz，并配备 64 KB Flash 和 8 KB SRAM 以及 2.7V ~ 3.6V 工作电压，支持 5V I/O，可在 - 40 ~ 105°C 范围内运行 M031GGD2AE 提供大量周边，包括硬件曼彻斯特编译码器、6 组 32 位定时器、1 组 UART、1 组 SPI、2 组支持 1 MHz 从机模式I2C、7 通道 PDMA。 M031GGD2AE 提供丰富模拟周边，包含内建温度传感器全温误差为 ± 2 °C，0°C ~70 °C 为 ± 1.6 °C、内部参考电压可输出 2.5V、11通道 12 位 1.4 Msps 采样率 ADC、4 组 12 位 DAC，其中 1 组支持自动数据产生功能。 由于用于光模块的微控制器需符合其小体积的需求，因此 M031GGD2AE 为 QFN24 脚位 (3 x 3 mm)，且全系列中不同型号相同封装脚位兼容，使系统易于设计和更换器件。 主要特性: • 运作特性 (Operating Characteristics) - 工作电压: 2.7V ~ 3.6V - 工作温度: -40°C ~ 105°C - EFT 4.4 kV - ESD HBM 6 kV • 內核 (Core) - Arm® Cortex®-M0 微控制器，工作频率可达 72 MHz • 内存 (Memory) - 支持 64 KB Flash - 支持 8 KB SRAM - 支持 2 KB LDROM - 支持 512 Bytes SRROM (Security Protection ROM) - 支持ISP (在线系统更新) / ICP (在线电路更新) / IAP (在线应用程序更新) Programming ) • 时钟源 (Clock control) - 内部 48 MHz 高速振荡器 (HIRC48)，全温误差 ± 2 % - 内部 38.4 kHz 高精度 RC 振荡器 (LIRC) - 内部 PLL 可达 144 MHz • 电源管理 (Power management) - 内建上电复位、欠压复位和低电压复位 - 正常运行：200 μA /
M031GTC2AE
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新唐 NuMicro M031GTC2AE 微控制器适用于支持调顶的光模块，集成了 Arm® Cortex®-M0 内核，具有 32 位硬件乘法器/除法器。其工作频率高达 72 MHz，并配备 32 KB Flash 和 8 KB SRAM 以及 2.7V ~ 3.6V 工作电压，支持 5V I/O，可在 - 40 ~ 105 °C 范围内运行 M031GTC2AE 提供大量周边，包括硬件曼彻斯特编译码器、6 组 32 位定时器、1 组 UART、1 组 SPI、2 组支持 1 MHz 从机模式 I2C、7 通道 PDMA。 M031GTC2AE 提供丰富模拟周边，包含内建温度传感器全温误差为 ± 2 °C，0 °C ~ 70 °C 为 ± 1.6 °C、内部参考电压可输出2.5V、16通道 12 位 1.4 Msps 采样率 ADC、4 组 12 位 DAC，其中 1 组支持自动数据产生功能。 由于用于光模块的微控制器需符合其小体积的需求，因此 M031GTC2AE 为 QFN33 脚位 (4 x 4 mm)，且全系列中不同型号相同封装脚位兼容，使系统易于设计和更换器件。 主要特性: • 运作特性 (Operating Characteristics) - 工作电压: 2.7V ~ 3.6V - 工作温度: -40°C ~ 105°C - EFT 4.4 kV - ESD HBM 6 kV • 內核 (Core) - Arm® Cortex®-M0 微控制器，工作频率可达 72 MHz • 内存 (Memory) - 支持 32 KB Flash - 支持 8 KB SRAM - 支持 2 KB LDROM - 支持 512 Bytes SRROM (Security Protection ROM) - 支持ISP (在线系统更新) / ICP (在线电路更新) / IAP (在线应用程序更新) Programming ) • 时钟源 (Clock control) - 内部 48 MHz 高速振荡器 (HIRC48)，全温误差 ± 2 % - 内部 38.4 kHz 高精度 RC 振荡器 (LIRC) - 内部 PLL 可达 144 MHz • 电源管理 (Power management) - 内建上电复位、欠压复位和低电压复位 - 正常运行：200 μA
M031GTD2AE
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新唐 NuMicro M031GTD2AE 微控制器适用于支持调顶的光模块，集成了 Arm® Cortex®-M0 内核，具有 32 位硬件乘法器/除法器。其工作频率高达 72 MHz，并配备 64 KB Flash 和 8 KB SRAM 以及 2.7V ~ 3.6V 工作电压，支持 5V I/O，可在 - 40 ~ 105 °C 范围内运行 M031GTD2AE 提供大量周边，包括硬件曼彻斯特编译码器、6 组 32 位定时器、1 组 UART、1 组 SPI、2 组支持 1 MHz 从机模式 I2C、7 通道 PDMA。 M031GTD2AE 提供丰富模拟周边，包含内建温度传感器全温误差为 ± 2 °C，0 °C ~ 70 °C 为 ± 1.6 °C、内部参考电压可输出2.5V、16通道 12 位 1.4 Msps 采样率 ADC、4 组 12 位 DAC，其中 1 组支持自动数据产生功能。 由于用于光模块的微控制器需符合其小体积的需求，因此 M031GTD2AE 为 QFN33 脚位 (4 x 4 mm)，且全系列中不同型号相同封装脚位兼容，使系统易于设计和更换器件。 主要特性: • 运作特性 (Operating Characteristics) - 工作电压: 2.7V ~ 3.6V - 工作温度: -40°C ~ 105°C - EFT 4.4 kV - ESD HBM 6 kV • 內核 (Core) - Arm® Cortex®-M0 微控制器，工作频率可达 72 MHz • 内存 (Memory) - 支持 64 KB Flash - 支持 8 KB SRAM - 支持 2 KB LDROM - 支持 512 Bytes SRROM (Security Protection ROM) - 支持ISP (在线系统更新) / ICP (在线电路更新) / IAP (在线应用程序更新) Programming ) • 时钟源 (Clock control) - 内部 48 MHz 高速振荡器 (HIRC48)，全温误差 ± 2 % - 内部 38.4 kHz 高精度 RC 振荡器 (LIRC) - 内部 PLL 可达 144 MHz • 电源管理 (Power management) - 内建上电复位、欠压复位和低电压复位 - 正常运行：200 μA
M031LE3AE
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M031LE3AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz ，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备128 KB Flash 和 16 KB SRAM 。 凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC ，96 MHz PWM ，24 MHz SPI ，6 MHz UART 。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和传感器数据可快速和精确的转换，并快速响应和控制外部模块，例如来自电机控制或传感设备的电流或电压反馈。 M031LE3AE 还提供大量外设，包括 1 组通用串行控制接口 ( USCI ) ， 3 组 UART ，1 组 SPI / I²S，2 组 I²C ，12 路 12 位 ADC ，12 路 16 位 PWM 等，可满足各种应用需求。它可在 - 40°C ~ + 105°C 的宽温度范围内工作。全系列相同封装Pin to Pin兼容。 应用领域 : 激光测距仪 空气检测器/清洁器 液晶面板控制器 微型打印机 WPC无线充电器 关键特性: • 运作特性 - 工作电压: 1.8 V至 3.6 V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ - EFT 4.4 kV - ESD HBM 6 kV • 内核 ( Core ) - Arm® Cortex®-M0，工作频率可达 48 MHz - 32-bit 硬件乘法/除法器 • 内存 ( Memory ) - 128 KB Flash - 16 KB SRAM - 4 KB ISP ROM - 512 Bytes SPROM ( Security Protection ROM ) - 支持程序更新方式： 在线系统更新 ISP ( In-System Programming ) 在线电路更新 ICP ( In-Circuit Programming ) 在线应用程序更新 IAP ( In-Application Programming ) • 时钟控制 ( Clock control ) - 外部 4 ~ 32 MHz 高速晶振 - 外部 32.768 KHz低速晶振 - 内部 48 MHz 高速震荡器 ( HIRC48 ) 全温误差 2 % - 内部 38.
粤公网安备 44030502010001号