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Product Results:Numicro icp programing tool, Matches
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M0564SE4AE



M0564SE4AE 为 32 位 元微控制器,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz 。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到 5.5V ,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计; PWM 运行速度最高可达到144 MHz ,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外,M0564SE4AE 内建SPROM ( Security Protection ROM ) ,提供一个独立且安全加密执行区域,以保护开发者的知识产权。M0564SE4AE 可广泛应用于工业控制、马达控制、电表等相关应用。 M0564SE4AE 支援 2.5V 至 5.5V 宽电压范围与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度,具128 Kbytes Flash记忆体、内建20 Kbytes SRAM 、4 Kbytes独立Flash作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) ,同时也具备线上电路更新 ICP ( In-Circuit Programming ) ,以及线上应用程式更新 IAP ( In-Application Programming ) 。M0564SE4AE 具备高抗干扰能力8 kV ESD ( HBM ) /4 kV EFT,并内嵌丰富通讯周边,如:计时器、看门狗、RTC、PDMA、 EBI 、 UART 、Smart Card interface、 SPI 、I²S、 I²C 、GPIO、高达12组通道的16位 PWM 、高达15组通道的12位 ADC 、类比比较器、温度检测、低电压重设和欠压检测、96位 UID ( Unique Identification ) 与128位UCID ( Unique Customer Identification ) ;提供LQFP64封装。 应用领域 : 工业控制、马达控制、电表相关应用等。 关键特性 : • 内核 ( core ) - ARM Cortex®-M0 - 工作频率可达 72 MHz - 工作电压: 2.5V 至 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 记忆体 ( memory ) - 128 KB 应用程式 Flash - 内嵌20 KB SRAM - 独立4 KB ISP ROM - 2


M0564SG4AE



M0564SG4AE 为 32 位 元微控制器,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz 。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到 5.5V ,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计; PWM 运行速度最高可达到144 MHz ,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外,M0564SG4AE 内建SPROM ( Security Protection ROM ) ,提供一个独立且安全加密执行区域,以保护开发者的知识产权。M0564SG4AE 可广泛应用于工业控制、马达控制、电表等相关应用。 M0564SG4AE 支持 2.5V 至 5.5V 宽电压范围与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度,具256 Kbytes Flash记忆体、内建20 Kbytes SRAM 、4 Kbytes独立Flash作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) ,同时也具备线上电路更新 ICP ( In-Circuit Programming ) ,以及线上应用程式更新 IAP ( In-Application Programming ) 。M0564SG4AE 具备高抗干扰能力8 kV ESD ( HBM ) /4 kV EFT,并内嵌丰富通讯周边,如:计时器、看门狗、RTC、PDMA、 EBI 、 UART 、Smart Card interface、 SPI 、I²S、 I²C 、GPIO、高达12组通道的16位 PWM 、高达15组通道的12位 ADC 、类比比较器、温度检测、低电压重设和欠压检测、96位 UID ( Unique Identification ) 与128位UCID ( Unique Customer Identification ) ;提供LQFP64封装。 应用领域 : 工业控制、马达控制、电表相关应用等。 关键特性 : • 内核 ( core ) - ARM Cortex®-M0 - 工作频率可达 72 MHz - 工作电压: 2.5V 至 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 记忆体 ( memory ) - 256 KB 应用程式 Flash - 内嵌20 KB SRAM - 独立4 KB ISP ROM - 2


M0564VG4AE



M0564VG4AE 为 32 位 元微控制器,内建ARM® Cortex®-M0 内核,速度高达72 MHz 。主要产品特色包含可调式VDDIO管脚,其接受宽电压范围为1.8V到 5.5V ,便于连接与VDD电压不同之外部元件,达成更弹性的设计; PWM 运行速度最高可达到144 MHz ,提供高精准度控制;内建硬件除法器,提升软件执行速度;此外,M0564VG4AE 内建SPROM ( Security Protection ROM ) ,提供一个独立且安全加密执行区域,以保护开发者的知识产权。M0564VG4AE 可广泛应用于工业控制、马达控制、电表等相关应用。 M0564VG4AE 支持 2.5V 至 5.5V 宽电压范围与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度,具256 Kbytes Flash记忆体、内建20 Kbytes SRAM 、4 Kbytes独立Flash作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) ,同时也具备线上电路更新 ICP ( In-Circuit Programming ) ,以及线上应用程式更新 IAP ( In-Application Programming ) 。NuMicro® M0564系列具备高抗干扰能力8 kV ESD ( HBM ) /4 kV EFT,并内嵌丰富通讯周边,如:计时器、看门狗、RTC、PDMA、 EBI 、 UART 、Smart Card interface、 SPI 、I²S、 I²C 、GPIO、高达12组通道的16位 PWM 、高达20组通道的12位 ADC 、类比比较器、温度检测、低电压重设和欠压检测、96位 UID ( Unique Identification ) 与128位UCID ( Unique Customer Identification ) ;提供LQFP100封装。 应用领域 : 工业控制、马达控制、电表相关应用等。 关键特性 : • 内核 ( core ) - ARM Cortex®-M0 - 工作频率可达 72 MHz - 工作电压: 2.5V 至 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 记忆体 ( memory ) - 256 KB 应用程式 Flash - 内嵌20 KB SRAM - 独立4 KB ISP


MINI55LDE



MINI55LDE 微控制器以Arm® Cortex®-M0为核心,内建 RC 震荡器,运行速度高达48 MHz 。针对控制类相关应用,内建16位高解析度 PWM ,运行速度可达到48 MHz ,可以提供互补式输出,带死区控制,并且可以触发 ADC ,特别适用于家电的开关控制并同时提供保护。内建硬体除法器,以提升演算法的执行速度。MINI55LDE 之优异特色使其特别适合用于家电、无线充电器与工业控制。 MINI55LDE 支持宽电压工作范围2.1V至 5.5V 与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度、高达17.5 KB Flash、2 KB SRAM 以及 2 KB 独立Flash 作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 使用,并提供 LQFP48 封装。除了拥有6 kV ESD ( HBM ) 与3 kV EFT高抗干扰能力以外,Mini55系列也提供丰富周边,包含计时器、 UART 、 SPI 、 I²C 、 PWM 、看门狗计时器、类比比较器、以及欠压检测。 应用领域: 家电、无线充电、工业控制、可编程逻辑控制器、I/O控制延伸板相关应用等。 关键特性: • 内核 ( Core ) - Arm® Cortex®-M0 核心,运行速度高达 48 MHz - 内嵌 32 位硬体除法器 - 工作电压: 2.1V 至 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 记忆体 ( Memory ) - 17.5 KB 应用程式 Flash - 2 KB ISP ROM - 内嵌 2 KB SRAM - 可编程数据储存 ( Data Flash ) - 支持程序更新方式: 线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 线上电路更新 ICP ( In-Circuit Programming ) 线上应用程序更新 IAP ( In-Application Programming ) • 类比数位转换器 ( ADC ) - 10 位 SAR ADC 与每秒转换速率为 500 kSPS - 高达 12 路单端类比输入通道 • 脉波宽度调变 ( PWM ) - 内建 3 组 16 位 PWM 产生器,每组可提供 2 个通道 - 内建 16 位 PWM 产生器,可输出 6 路 PWM 或 3 组互补配对


MINI55TDE



MINI55TDE 微控制器以Arm® Cortex®-M0为核心,内建 RC 震荡器,运行速度高达48 MHz 。针对控制类相关应用,内建16位高解析度 PWM ,运行速度可达到48 MHz ,可以提供互补式输出,带死区控制,并且可以触发 ADC ,特别适用于家电的开关控制并同时提供保护。内建硬体除法器,以提升演算法的执行速度。MINI55TDE 之优异特色使其特别适合用于家电、无线充电器与工业控制。 MINI55TDE 支持宽电压工作范围2.1V至 5.5V 与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度、高达17.5 KB Flash、2 KB SRAM 以及 2 KB 独立Flash 作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 使用,并提供 QFN33 ( 4x4 ) 封装。除了拥有6 kV ESD ( HBM ) 与3 kV EFT高抗干扰能力以外,Mini55系列也提供丰富周边,包含计时器、 UART 、 SPI 、 I²C 、 PWM 、看门狗计时器、类比比较器、以及欠压检测。 应用领域: 家电、无线充电、工业控制、可编程逻辑控制器、I/O控制延伸板相关应用等。 关键特性: • 内核 ( Core ) - Arm® Cortex®-M0 核心,运行速度高达 48 MHz - 内嵌 32 位硬体除法器 - 工作电压: 2.1V 至 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 记忆体 ( Memory ) - 17.5 KB 应用程式 Flash - 2 KB ISP ROM - 内嵌 2 KB SRAM - 可编程数据储存 ( Data Flash ) - 支持程序更新方式: 线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 线上电路更新 ICP ( In-Circuit Programming ) 线上应用程序更新 IAP ( In-Application Programming ) • 类比数位转换器 ( ADC ) - 10 位 SAR ADC 与每秒转换速率为 500 kSPS - 高达 12 路单端类比输入通道 • 脉波宽度调变 ( PWM ) - 内建 3 组 16 位 PWM 产生器,每组可提供 2 个通道 - 内建 16 位 PWM 产生器,可输出 6 路 PWM 或


MINI57EDE



MINI57EDE 微控制器以Arm® Cortex®-M0为核心,其内建 RC 震荡器,运行速度高达48 MHz 。针对工业应用高精准控制需求, ADC 内建两组取样保持电路 ( Sample and Holds ) 可以同时量测两路类比讯号,并内建一组8阶可调整增益放大器 ( PGA ) ,可放大微小讯号,省去PCB板增加外部元件之成本。其16位高解析度 PWM 运行速度高达48 MHz ,可以提供互补式输出,带死区控制,并且可以触发 ADC ,特别适用于家电与无线充电的开关控制。除了拥有高效能 PWM 之外,Mini57系列还包含一组12位 ADC ,可提供多通道控制,并内建两个类比比较器,作为电压量测与比较使用,另SPROM提供一个独立的安全加密执行区域,以保护开发者的智慧财产权。MINI57EDE 之优异特色使其特别适用无线充电、小家电、工业自动化控制以及IoT相关应用。 MINI57EDE 支持宽电压工作范围2.1V至 5.5V 与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度、高达29.5 KB Flash、4 KB SRAM 以及 2.5 KB 独立Flash 作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 使用,并提供 TSSOP28 封装。此外,Mini57系列支持7 kV ESD ( HBM ) 与4 kV EFT高抗干扰能力,并且提供丰富周边,包含硬体除法器、计时器、看门狗计时器、 ADC 、类比比较器、PGA等,其两组USCI介面亦可以设定为 UART 、 SPI 或 I²C 介面。 应用领域: 无线充电、家电、工业控制、马达控制、IoT装置应用等。 关键特性: • 内核 ( Core ) - Arm® Cortex®-M0 核心,运行速度高达 48 MHz - 内嵌 32 位硬体除法器 - 工作电压: 2.1V 至 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 记忆体 ( Memory ) - 29.5 KB 应用程式 Flash - 2 KB ISP LDROM - 1.5 KB SPROM - 4 KB SRAM - 可编程数据储存 ( Data Flash ) - 支持程序更新方式: 线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 线上电路更新 ICP (


MINI57FDE



MINI57FDE 微控制器以Arm® Cortex®-M0为核心,其内建 RC 震荡器,运行速度高达48 MHz 。针对工业应用高精准控制需求, ADC 内建两组取样保持电路 ( Sample and Holds ) 可以同时量测两路类比讯号,并内建一组8阶可调整增益放大器 ( PGA ) ,可放大微小讯号,省去PCB板增加外部元件之成本。其16位高解析度 PWM 运行速度高达48 MHz ,可以提供互补式输出,带死区控制,并且可以触发 ADC ,特别适用于家电与无线充电的开关控制。除了拥有高效能 PWM 之外,Mini57系列还包含一组12位 ADC ,可提供多通道控制,并内建两个类比比较器,作为电压量测与比较使用,另SPROM提供一个独立的安全加密执行区域,以保护开发者的智慧财产权。MINI57FDE 之优异特色使其特别适用无线充电、小家电、工业自动化控制以及IoT相关应用。 MINI57FDE 支持宽电压工作范围2.1V至 5.5V 与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度、高达29.5 KB Flash、4 KB SRAM 以及 2.5 KB 独立Flash 作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 使用,并提供 TSSOP20 封装。此外,Mini57系列支持7 kV ESD ( HBM ) 与4 kV EFT高抗干扰能力,并且提供丰富周边,包含硬体除法器、计时器、看门狗计时器、 ADC 、类比比较器、PGA等,其两组USCI介面亦可以设定为 UART 、 SPI 或 I²C 介面。 应用领域: 无线充电、家电、工业控制、马达控制、IoT装置应用等。 关键特性: • 内核 ( Core ) - Arm® Cortex®-M0 核心,运行速度高达 48 MHz - 内嵌 32 位硬体除法器 - 工作电压: 2.1V 至 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 记忆体 ( Memory ) - 29.5 KB 应用程式 Flash - 2 KB ISP LDROM - 1.5 KB SPROM - 4 KB SRAM - 可编程数据储存 ( Data Flash ) - 支持程序更新方式: 线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 线上电路更新 ICP (


MINI57TDE



MINI57TDE 微控制器以Arm® Cortex®-M0为核心,其内建 RC 震荡器,运行速度高达48 MHz 。针对工业应用高精准控制需求, ADC 内建两组取样保持电路 ( Sample and Holds ) 可以同时量测两路类比讯号,并内建一组8阶可调整增益放大器 ( PGA ) ,可放大微小讯号,省去PCB板增加外部元件之成本。其16位高解析度 PWM 运行速度高达48 MHz ,可以提供互补式输出,带死区控制,并且可以触发 ADC ,特别适用于家电与无线充电的开关控制。除了拥有高效能 PWM 之外,Mini57系列还包含一组12位 ADC ,可提供多通道控制,并内建两个类比比较器,作为电压量测与比较使用,另SPROM提供一个独立的安全加密执行区域,以保护开发者的智慧财产权。MINI57TDE 之优异特色使其特别适用无线充电、小家电、工业自动化控制以及IoT相关应用。 MINI57TDE 支持宽电压工作范围2.1V至 5.5V 与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度、高达29.5 KB Flash、4 KB SRAM 以及 2.5 KB 独立Flash 作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 使用,并提供 QFN33 ( 4x4 ) 封装。此外,Mini57系列支持7 kV ESD ( HBM ) 与4 kV EFT高抗干扰能力,并且提供丰富周边,包含硬体除法器、计时器、看门狗计时器、 ADC 、类比比较器、PGA等,其两组USCI介面亦可以设定为 UART 、 SPI 或 I²C 介面。 应用领域: 无线充电、家电、工业控制、马达控制、IoT装置应用等。 关键特性: • 内核 ( Core ) - Arm® Cortex®-M0 核心,运行速度高达 48 MHz - 内嵌 32 位硬体除法器 - 工作电压: 2.1V 至 5.5V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 记忆体 ( Memory ) - 29.5 KB 应用程式 Flash - 2 KB ISP LDROM - 1.5 KB SPROM - 4 KB SRAM - 可编程数据储存 ( Data Flash ) - 支持程序更新方式: 线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 线上电路更新 ICP (


NANO103LD3AE



NANO103LD3AE 系列超低功耗微控制器以 Arm® Cortex®-M0 为内核,运行速度高达 36 MHz ,提供 RTC 独立供电管脚且待机功耗小于 1 μA。 NANO103LD3AE 支持 64 KB Flash 记忆体、内建 16 KB SRAM 、4 KB 独立 Flash 作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 使用,提供 LQFP48 封装。 优异的低功耗表现使得 Nano103 可被广泛应用在电池供电装置,如电子锁、医疗仪器以及测试仪器等。 NANO103LD3AE 支持 2.2V 至 3.6V 宽电压范围与 - 40 ℃ 至 105 ℃ 工作温度。丰富外设包含:内建误差 < 1 % 的 4 / 12 / 36 MHz 高精度振荡器、定时器、看门狗定时器 ( WDT/WWDT ) 、RTC、PDMA、 UART 、 SPI 、 I²C 、 PWM 、ISO-7816、1.8 MSPS 12 位 SAR ADC 、温度检测、低电压重设和欠压检测、96 位元晶片唯一序号 ( Unique Identification, UID ) 及 128 位元唯一客户序号 ( Unique Customer Identification, UCID ) ,为开发程式提供多重保护。 目标应用:智能门锁、穿戴式装置、可携式医疗测量装置、长距离低功耗无线通讯模组、智能体感遥控器、智能家庭、智能读卡机、GPS数据记录器、手机刷卡器等。 关键特性: • 内核 ( Core ) - ARM® Cortex®-M0 核心 - 最高运行频率可达 36 MHz - 工作电压: 2.2V 至 3.6V - 工作温度:- 40 ℃ 至 105 ℃ • 超低功耗 ( Ultra-Low Power Consumption ) - 180 μA / MHz ( 运行模式 ) - 75 μA / MHz ( 闲置模式 ) - 2 μA ( 掉电模式,RTC 开启,RAM 资料保存 ) - 1 μA ( 主要电源关闭,RTC 单独供电下 ) - <7 us 快速唤醒 CPU 功能 • 内存 ( Memory ) - 64 KB 应用程式 Flash - 内嵌 16 KB SRAM - 可编程 Data Flash - 支持程序更新方式:


NANO103SD3AE



NANO103SD3AE系列超低功耗微控制器以Arm® Cortex®-M0 为内核,运行速度高达36 MHz ,提供RTC独立供电管脚且待机功耗小于1μA。 NANO103SD3AE支持64 KB Flash记忆体、内建16 KB SRAM 、4 KB 独立Flash作为线上系统更新 ISP ( In-System Programming ) 使用,提供LQFP64封装。 优异的低功耗表现使得Nano103可被广泛应用在电池供电装置,如电子锁、医疗仪器以及测试仪器等。 NANO103SD3AE支持 2.2V 至 3.6V 宽电压范围与 - 40 ℃ 至105 ℃ 工作温度。丰富外设包含:内建误差< 1 % 的4/12/36 MHz 高精度振荡器、定时器、看门狗定时器 ( WDT/WWDT ) 、RTC、PDMA、 UART 、 SPI 、 I²C 、 PWM 、ISO-7816、1.8 MSPS 12位 SAR ADC 、温度检测、低电压重设和欠压检测、96位元晶片唯一序号 ( Unique Identification, UID ) 及128位元唯一客户序号 ( Unique Customer Identification, UCID ) ,为开发程式提供多重保护。 目标应用: 智能门锁、穿戴式装置、可携式医疗测量装置、长距离低功耗无线通讯模组、智能体感遥控器、智能家庭、智能读卡机、GPS数据记录器、手机刷卡器等。 关键特性: • 内核 ( Core ) - ARM® Cortex®-M0 核心 - 最高运行频率可达 36 MHz - 工作电压: 2.2V 至 3.6V - 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃ • 超低功耗 ( Ultra-Low Power Consumption ) - 180 μA/ MHz ( 运行模式 ) - 75 μA/ MHz ( 闲置模式 ) - 2 μA ( 掉电模式,RTC开启,RAM资料保存 ) - 1 μA ( 主要电源关闭,RTC单独供电下 ) - <7 us 快速唤醒 CPU 功能 • 内存 ( Memory ) - 64 KB 应用程式 Flash - 内嵌16 KB SRAM - 可编程 Data Flash - 支持程序更新方式: 在线系统更新 ISP ( In-System Programming )