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tab5 tab4 tab5 content Target Application: Wearable, battery-powered devices Home appliances IoT device Auto-alarm system: smoke detector Battery management system Remote controller WPC Wireless Charger Key Features: tab3 Board Features tab3 content Target Application: Wearable, battery-powered devices Home appliances IoT device Auto-alarm system: smoke detector Battery management system Remote controller WPC Wireless Charger Key Features: Introduction The NuMicro® MA35D1 series is a heterogeneous multi-core microprocessor targeted to high-end edge IIoT gateway. It is based on dual 64-bit Arm® Cortex®-A35 cores with speed up to 1 GHz, and one 180 MHz Arm® Cortex®-M4 core. The MA35D1 series also offers LQFP and BGA packages stacked with the DDR2/DDR3L SDRAM and density up to 512 MB to significantly reduce PCB layer, size and electromagnetic interference (EMI). The MA35D1 series is a trusted system for IoT products' security requirements. It includes several advanced security mechanisms
产品技术信息 / 新唐科技发布升级版 NuMicro® M2354 微控制器：强化资安与尺寸优化设计，满足服务器与物联网应用需求
https://www.nuvoton.com.cn/news/news/products-technology/TSNuvotonNews-000568/
新唐科技发布升级版 NuMicro® M2354 微控制器：强化资安与尺寸优化设计，满足服务器与物联网应用需求 高安全整合、低功耗、小封装，打造高性价比的 RoT 解决方案 新竹，台湾 - 2025 年 8 月 29 日 - 新唐科技正式推出升级版 NuMicro® M2354 微控制器系列，专为服务器 RoT、智能城市、物联网与智能电表等应用量身打造。 NuMicro® M2354 基于 Armv8-M 架构采用 Arm® TrustZone® 技术，搭载 Arm® Cortex-M23® CPU，致力于强化物联网安全性，适用于长期保密需求与高敏感数据防护场景。M2354 的工作频率高达 96 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压范围，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度。其功耗表现在 LDO 模式下为 89.3 μA/MHz，DC-DC 模式下为 39.6 μA/MHz。待机掉电模式 (Standby Power-down) 消耗电流小于 2 µA，而深度掉电模式 (Deep Power-down) 在无 VBAT 状态下耗电仅 0.1 µA，可大幅延长电池寿命，满足物联网长时间运行的需求。 为了实现韧体远程更新 (FOTA, Firmware Over-the-Air)，M2354 内建高达 1024 KB 的双储存区 Flash Memory 以及 256 KB SRAM。安全方面除支持 eXecute-Only-Memory (XOM) 防止程序代码窃取外，亦内建硬件加密加速器，符合 FIPS PUB 197/180/180-2/180-4 与 NIST SP 800-38A 等加密标准，并具备硬件钥匙储存区 (Key Store)，有效防御旁路攻击与故障注入攻击。在安全开机机制上，升级版 M2354 支持于 Mask ROM 中实作基于 DICE 的信任架构并支持 ECDSA P-521，可于开机阶段自动产生唯一装置身份并建立信任链，有效识别韧体版本并防止韧体回滚与窜改攻击。此外，M2354 符合 PSA Level 3 与 SESIP Level 3 高等级安全认证，能满足欧盟《网络韧性法案》(Cyber Resilience Act, CRA) 的需求。 M2354 支持丰富的周边，包括 CAN、USB 2.
所有消息 / 新唐科技推出 NuMicro M3331 系列微控制器：以 Cortex-M33 强大算力与全方位通讯能力，驱动智能装置升级
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新唐科技推出 NuMicro® M3331 系列微控制器：以 Cortex®-M33 强大算力与全方位通讯能力，驱动智能装置升级 在全球工业自动化与智慧生活转型加速的浪潮下，微控制器（MCU）的安全性与处理效率已成为企业在 B2B 市场克敌制胜的关键。新唐科技（Nuvoton Technology）身为领先的微控制器供应商，隆重宣布推出全新 NuMicro® M3331 系列 32 位微控制器 。本系列搭载 Arm® Cortex®-M33 内核，不仅在 180 MHz 的高速运行下展现卓越效能，更整合了 TrustZone® 技术，为工业控制、智慧工厂、智慧建筑及再生能源等领域提供最坚实的硬件基石 。 NuMicro® M3331 系列不仅仅是一个硬件平台，它是针对客户在处理复杂控制算法与保护知识产权（IP）时面临的困难而设计的整合方案。它搭载 Cortex®-M33 核心，内建 DSP 指令集与单精度浮点运算单元（FPU），运行频率高达 180 MHz 。M3331 系列建构了充足的安全防护机制，透过硬件级安全启动 (Secure Boot)，确保系统从开机即执行经认证的授权韧体，建立不可窜改的信任根 (Root of Trust)。并针对核心 IP 资产，配置仅可执行内存 (eXecute-Only-Memory) 功能，保护核心算法，杜绝代码泄漏风险。此外，透过TrustZone® 技术划分安全的执行环境，有效防御恶意攻击。 M3331 系列支持 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围，并具备优异的抗干扰性能（ESD HBM 4 kV / EFT 4.4 kV），能大幅降低因环境因素导致的停机风险。为了进一步强化系统的可靠度，512 KB Flash 内存支持 ECC (Error Correction Code) 功能，能侦测并修复内存位翻转错误。更在 320 KB 的 SRAM 中，针对 64 KB 核心区域提供硬件奇偶校验 (Parity Check)，实现真正的工业级系统韧性。 为了应对物联网时代的多样化通讯需求，M3331 系列导入了 I3C 接口与 2 个CAN FD 控制器 ，大幅提升了传感器与控制节点间的数据吞吐量。针对高速周边与大容量储存，内建 USB 2.
MA35D1 高效能边缘工业物联网系列
https://www.nuvoton.com.cn/products/microprocessors/arm-cortex-a35-mpus/ma35d1-high-performance-edge-iiot-series/
NuMicro® MA35D1系列为一颗异核同构的多核心微处理器，适用于高端 Edge IIoT Gateway。它是基于双核 64 位 Arm® Cortex-A35 内核，执行速度可达 800 MHz，并搭载一颗 180 MHz Arm Cortex-M4 内核。基于此高性能内核，MA35D1 系列有助于 Tiny AI/ML 边缘运算。 MA35D1 系列提供 LQFP 和 BGA 两种封装以满足各类应用。 Multiple Chip Package DDR External DDR Series & CPU MA35H0 Dual A35@650 MHz MA35D0 Dual A35@650 MHz MA35D1 Dual A35@800 MHz DDR (External) MA35D16A087C 512 MB MA35D16F987C MA35D16AJ87C 256 MB MA35D03F864C MA35D16F887C MA35D16A887C 128 MB MA35H04F764C MA35D03F764C MA35D16F787C Package LQFP216 (MCP DDR) (24 x 24 mm) LQFP216 (MCP DDR) (24 x 24 mm) LQFP216 (MCP DDR) (24 x 24 mm) BGA312 (MCP DDR) (15 x 15 mm) BGA364 (14 x 14 mm) MA35D1 系列内建 128 KB IBR（Internal Boot ROM），支持从 USB、SD/eMMC、NAND 和 SPI 闪存（SPI NOR/SPI NAND） 等模式进行安全启动。MA35D1 系列支持 16 位 DDR2/ DDR3 和 DDR3L SDRAM。为了简化系统设计和生产，MA35 系列提供了LQFP 和 BGA 两种封装，并堆栈 DDR2/DDR3L SDRAM，最大容量达 512 MB，能够显著的减少 PCB 层数、面积、以及降低电磁干扰。 MA35D1 系列是一个可信任的系统，可以满足物联网产品的安全需求。它包括多个进阶的安全机制，例如新唐 TSI（Trusted Secure Island）一个独立的安全硬件单元、TrustZone、安全启动 (secure
M3334YIGAE
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NuMicro® M3334YIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334YIGAE 运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM)
M3333KIGAE
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NuMicro® M3333KIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333KIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP128封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 –
M3334KIGAE
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NuMicro® M3334KIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334KIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP128封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 –
M3334SIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334sigae/
NuMicro® M3334SIGAE 是一款采用 Arm® Cortex® -M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334SIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP64封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM)
M3334LIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3334-series/m3334ligae/
NuMicro® M3334LIGAE 是一款采用 Arm® Cortex-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone®技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3334LIGAE运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供LQFP48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV 内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) 内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check 时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz 电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) 定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM) 通道 – 高达
M3333YIGAE
https://www.nuvoton.com.cn/products/microcontrollers/arm-cortex-m33-mcus/m3333-series/m3333yigae/
NuMicro® M3333YIGAE 是一款采用 Arm® Cortex®-M33 内核的 32 位微控制器。它集成 TrustZone® 技术、DSP 指令集以及浮点运算单元 (FPU)。专为高性能应用设计，目标市场涵盖工业控制、智能工厂、智能建筑、再生能源及消费性电子产品。M3333YIGAE 运行频率最高可达 180 MHz，支持 1.7V 至 3.6V 的宽工作电压，以及 -40°C 至 +105°C 的宽工作温度范围。它提供QFN48封装与卓越的可靠性，具备高抗干扰能力，ESD HBM 达 4 kV 且 EFT 达 4.4 kV。 主要特性 ．工作特性 – 电压范围：1.7V 至 3.6V – 温度范围：-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV ．内核 – 搭载 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 内核，频率高达 180 MHz – DSP 指令集 – 单精度浮点运算单元 (FPU) – 具备 8 个内存区域的内存保护单元 (MPU) ．内存 – 高达 512 KB 闪存，单区块 (single bank) – 闪存支援错误纠正码 (ECC) – 8 KB LDROM – 高达 320 KB SRAM，包含 64 KB 具备parity check ．时钟 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用于 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 内部 48 MHz RC 振荡器，在 -40°C 至 +105°C 范围内偏差为 ± 3% – 内部 38.4 kHz RC 振荡器，偏差为 +/- 2.5% – 内部 PLL 高达 180 MHz ．电源管理 – 运行模式 (Normal run)：91 μA/MHz 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 正常掉电模式 2 (NPD2)：190 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 待机掉电模式 (SPD) 不含 SRAM 保持：4.93 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) – 深度掉电模式 (DPD)：0.62 μA 于 25°C/3.3V (关闭所有外设) ．定时器与控制外设 – 4 个 32 位定时器 (Timer) – 高达 12 个增强型 PWM (EPWM)
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