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M3334YIGAE



NuMicro® M3334YIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone® 技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3334YIGAE工作頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供QFN48封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 .工作特性 – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV .核心 – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) .記憶體 – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check .時鐘 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz .電源管理 – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 深度掉電模式 (DPD):0.62 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) .定時器與控制周邊 – 4 個 32 位元定時器 (Timer) – 高達 12


所有消息 / 新唐科技推出 NuMicro M3331 系列微控制器:以 Cortex-M33 強大算力與全方位通訊能力,驅動智慧裝置升級



新唐科技推出 NuMicro® M3331 系列微控制器:以 Cortex®-M33 強大算力與全方位通訊能力,驅動智慧裝置升級 在全球工業自動化與智慧生活轉型加速的浪潮下,微控制器(MCU)的安全性與處理效率已成為企業在 B2B 市場克敵制勝的關鍵。新唐科技(Nuvoton Technology)身為領先的微控制器供應商,隆重宣佈推出全新 NuMicro® M3331 系列 32 位元微控制器 。本系列搭載 Arm® Cortex®-M33 核心,不僅在 180 MHz 的高速運行下展現卓越效能,更整合了 TrustZone® 技術,為工業控制、智慧工廠、智慧建築及再生能源等領域提供最堅實的硬體基石 。 NuMicro® M3331 系列不僅僅是一個硬體平台,它是針對客戶在處理複雜控制算法與保護智慧財產權(IP)時面臨的困難而設計的整合方案。它搭載 Cortex®-M33 核心,內建 DSP 指令集與單精度浮點運算單元(FPU),運行頻率高達 180 MHz 。M3331 系列建構了充足的安全防護機制,透過硬體級安全啟動 (Secure Boot),確保系統從開機即執行經認證的授權韌體,建立不可竄改的信任根 (Root of Trust)。並針對核心 IP 資產,配置僅可執行記憶體 (eXecute-Only-Memory) 功能,保護核心演算法,杜絕代碼洩漏風險。此外,透過TrustZone® 技術劃分安全的執行環境,有效防禦惡意攻擊。 M3331 系列支援 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍,並具備優異的抗干擾性能(ESD HBM 4 kV / EFT 4.4 kV),能大幅降低因環境因素導致的停機風險。為了進一步強化系統的可靠度,512 KB Flash 記憶體支援 ECC (Error Correction Code) 功能,能偵測並修復記憶體位元翻轉錯誤。更在 320 KB 的 SRAM 中,針對 64 KB 核心區域提供硬體奇偶校驗 (Parity Check),實現真正的工業級系統韌性。 為了應對物聯網時代的多樣化通訊需求,M3331 系列導入了 I3C 介面與兩個CAN FD 控制器 ,大幅提升了感測器與控制節點間的數據吞吐量。針對高速周邊與大容量儲存,內建 USB 2.


M3334KIGAE



NuMicro® M3334KIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone® 技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3334KIGAE工作頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供LQFP128封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 .工作特性 (Operating Characteristics) – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV .核心 (Core) – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) .記憶體 (Memories) – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check .時鐘 (Clocks) – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz .電源管理 (Power management) – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.


M3334TIGAE



NuMicro® M3334TIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone® 技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3334TIGAE工作頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供QFN33封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 .工作特性 – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV .核心 – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) .記憶體 – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check .時鐘 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz .電源管理 – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 深度掉電模式 (DPD):0.62 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) .定時器與控制周邊 – 4 個 32 位元定時器 (Timer) – 高達 12


M3333TIGAE



NuMicro® M3333TIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone® 技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3333TIGAE工作頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供QFN33封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 .工作特性 – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV .核心 – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) .記憶體 – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check .時鐘 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz .電源管理 – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 深度掉電模式 (DPD):0.62 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) .定時器與控制周邊 – 4 個 32 位元定時器 (Timer) – 高達 12


M3334SIGAE



NuMicro® M3334SIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone 技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3334SIGAE運行頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供LQFP64封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 .工作特性 – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV .核心 – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) .記憶體 – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check .時鐘 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz .電源管理 – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 深度掉電模式 (DPD):0.62 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) .定時器與控制周邊 – 4 個 32 位元定時器 (Timer) – 高達 12


M3333LIGAE



NuMicro® M3333LIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone®技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3333LIGAE工作頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供LQFP48封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 工作特性 – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV 核心 – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) 記憶體 – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check 時鐘 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz 電源管理 – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 深度掉電模式 (DPD):0.62 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) 定時器與控制周邊 – 4 個 32 位元定時器 (Timer) – 高達 12 個增強型


M3333YIGAE



NuMicro® M3333YIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone® 技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3333YIGAE工作頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供QFN48封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 .工作特性 – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV .核心 – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) .記憶體 – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check .時鐘 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz .電源管理 – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 深度掉電模式 (DPD):0.62 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) .定時器與控制周邊 – 4 個 32 位元定時器 (Timer) – 高達 12


M3333KIGAE



NuMicro® M3333KIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone® 技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3333KIGAE工作頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供LQFP128封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 .工作特性 (Operating Characteristics) – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV .核心 (Core) – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) .記憶體 (Memories) – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check .時鐘 (Clocks) – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz .電源管理 (Power management) – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.


M3334LIGAE



NuMicro® M3334LIGAE 是一款採用 Arm® Cortex®-M33 核心的 32 位元微控制器。它集成 TrustZone®技術、DSP 指令集以及浮點運算單元 (FPU)。專為高性能應用設計,目標市場涵蓋工業控制、智慧工廠、智慧建築、再生能源及消費性電子產品。M3334LIGAE工作頻率最高可達 180 MHz,支援 1.7V 至 3.6V 的寬工作電壓,以及 -40°C 至 +105°C 的寬工作溫度範圍。它提供LQFP48封裝與卓越的可靠性,具備高抗干擾能力,ESD HBM 達 4 kV 且 EFT 達 4.4 kV。 主要特性 工作特性 – 電壓範圍:1.7V 至 3.6V – 溫度範圍:-40°C 至 +105°C – ESD HBM 4 kV – EFT 4.4 kV 核心 – 搭載 TrustZone® 的 ARM® Cortex®-M33 核心,頻率高達 180 MHz – DSP 指令集 – 單精度浮點運算單元 (FPU) – 具備 8 個記憶體區域的記憶體保護單元 (MPU) 記憶體 – 高達 512 KB Flash 記憶體,單區塊 (single bank) – Flash 記憶體支援錯誤更正碼 (ECC) – 8 KB LDROM – 高達 320 KB SRAM,包含 64 KB 具備parity check 時鐘 – 4 至 32 MHz 外部高速晶振 (HXT) – 用於 RTC 的 32.768 kHz 外部低速晶振 (LXT) – 內部 48 MHz RC 振盪器,在 -40°C 至 +105°C 範圍內偏差為 ± 2% – 內部 38.4 kHz RC 振盪器,偏差為 +/- 10% – 內部 PLL 高達 180 MHz 電源管理 – 運行模式 (Normal run):91 μA/MHz 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 正常掉電模式 2 (NPD2):190 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 待機掉電模式 (SPD) 不含 SRAM 保持:4.93 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) – 深度掉電模式 (DPD):0.62 μA 於 25°C/3.3V (關閉所有周邊) 定時器與控制周邊 – 4 個 32 位元定時器 (Timer) – 高達 12 個增強型