Embedded Memory Process

組み込み型メモリ製造プロセス 

組み込み型メモリ製造プロセス 

ヌヴォトンは各種アプリケーション領域におけるメモリの需要についてお客様にご満足いただけるよう、特別にヌヴォトンの0.35umシリーズ製造プロセスにおける3タイプのロジック製造プロセスに対応した不揮発性メモリ(Non-Volatile Memory, NVM) を提供しています。 (1) YMC(Yield Microelectronics Corporation)が提供する3.3V MTP (Multi-Time-Programing) NVM IP;(2) eMemory (eMemory Technology, Inc.)が提供する5V OTP (One-Time-Programing) NVM IP;(3) ヌヴォトンがTrimming Functionとして提供するPoly e-Fuse IP。

Application Target Product Function 0.35um MVN IP
Trimming LCD Driver, LED Driver, Touch Panel, Power IC STB Control Fuse Like 5V/40V/UHV or BCD eMemory 5V OTPNTC Poly e-Fuse
Parameter Setting LCD, LED, Battery Pack Protection Status Parameter 5V/40V/HV or BCD eMemory 5V OTP
Encryption LCD, STB, Smart Card Security Confirm Code 5V/40V/HV or BCD eMemory 5V OTP
Function Selection SoC product Function selector SoC Function Control 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP
Identification Setting Product ID, TagIC < 13.5MHz ID Code 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP
Code Storage 4/8 bits MCU Program, Data Storage 3.3V/5V Logic YMC 3.3V MTP

 

YMC 3.3V MTP NVM IP

ヌヴォトンの0.35um 3.3V/5Vロジック製造プロセスはYMCが提供する3.3V MTP NVM IPの製造コストを組み合わせ、マスクと製造のコストが止まること無く増加を続ける状況において、組み込み型NVMを利用可能にします。YMCが提供するNVM IPの種類は (1) EEPROM (2) Flash (3) MTPで、加えてIP Memory Densityのラインナップを256 X 8 bits から16K X16 bitsまで全て備えています。この製造プロセスはMicrocontroller Unit (MCU)製品において大量に使用されています。

 

eMemory 5V OTP NVM IP

ヌヴォトンは電源管理や高電圧製造プロセスの開発に力を入れており、0.35um 5V高電圧電源モジュール化の製造プロセスをeMemoryが開発し、高度に統合された5V OTP NVM IPと組み合わせることに成功しました。これにより、お客様に電源管理に関連する領域の組み込み型メモリに対する技術上の要求にお応えします。マスクと製造のコストが止まること無く増加を続ける状況において、eMemoryの5V OTP NVM IPとヌヴォトンの0.35um BCD processを利用可能にしています。

 

ヌヴォトン Poly e-Fuse  IP

ヌヴォトンは0.35um BCD および0.6um CDMOS/UHV製造プロセスにおいて、自社開発したPoly主体のElectrical Fuse (Poly e-Fuse) IPを用意しています。このIPはアナログおよび電源管理ICのTrimmingに用い、表面積は従来のPAD E-fuseに比べて50 %以上小型化しています。このIPを使用して、TrimmingをFinal Test (FT)に移行することが可能になり、Laser fuseと比較してCP TestとLaser TrimmingのコストおよびFT後の不良品率が低下しました。ヌヴォトンのElectrical Fuse IPはTrimmingのコストを大幅に削減し、不良率を改善できます。

 

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