0.35um BCD Process

0.35um BCD Process 

此工艺为Dual GOX process,提供VGS= 5V与最大耐压为VGS= 40V的器件,VDS电压分别为5V/12V/18V/25V/36V/40V/60V/80V/700V ,并提供低通态电阻的功率器件以因应Converter及LED的需求。配合高阻值Poly2,PIP电容及Bipolar,实现类比信号的设计。另外提供特殊元件以因应您的特殊需求,如:Depletion UHV Device,Low Ron UHV Device,Depletion Device,Zener Diode与UHV Isolation Device等。同时提供Nuvoton Poly e-fuse IP与eMemory 5V NVM满足您在OTP的上的需求。此工艺支援3um thickness的Top Metal,以因应铜打线需求。为了方便您在数字电路上的设计,我们也提供了5V Standard Cell Library。

 

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